半导体光传感器.pptxVIP

半导体光学传感器;;半导体光传感器的物理基础;;;该类光电传感器的优点是灵敏度高，光谱响应范围宽，体积小、重量轻、机械强度高，耐冲击、耐振动、抗过载能力强和寿命长等；但不足之处是需要外部电源，有电流时会发热。;;以CdS光敏电阻为例，其结构如图2.1所示。管芯是一块安装在绝缘衬底上带有两个欧姆接触电极的光电导体。;1--光导层;

2--玻璃窗口;

3--金属外壳;

4--电极;

5--陶瓷基座;

6--黑色绝缘玻璃;

7--电阻引线。;光敏电阻的灵敏度易受湿度的影响，因此要将导光电导体严密封装在玻璃壳体中。如果把光敏电阻连接到外电路中，在外加电压的作用下，用光照射就能改变电路中电流的大小，其连线电路如图所示。

光敏电阻具有很高的灵敏度，很好的光谱特性，光谱响应可从紫外区到红外区范围内。而且体积小、重量轻、性能稳定、价格便宜，因此应用比较广泛。;;⒉光照特性;⒊光谱特性

光敏电阻对波长不同的单色光的响应灵敏度不同，其光谱特性与光敏电阻的材料有关。从图中可知，硫化铅光敏电阻在较宽的光谱范围内均有较高的灵敏度，峰值在红外区域；硫化镉、硒化镉的峰值在可见光区域。（三个特点）;⒋伏安特性

在一定照度下，加在光敏电阻两端的电压与电流之间的关系称为伏安特性。图中曲线1、2分别表示照度为零及照度为某值时的伏安特性。由曲线可知，在给定偏压下,光照度（光强）较大，光电流也越大，仍满足欧姆定律。在一定的光照度下，所加的电压越大，光电流越大，而且无饱和现象。;⒌频率响应特性

用脉冲光照射时，光电流要经过一段时间才能达到稳定值，而在停止光照后，光电流也不立刻为零，这就是光敏电阻的时延特性（弛豫特性）。;;⒍稳定性

图中曲线1、2分别表示两种型号CdS光敏电阻的稳定性。初制成的光敏电阻，由于体内机构工作不稳定以及电阻体与其介质的作用还没有达到平衡，所以性能是不够稳定的。但在人为地加温、光照及加负载情况下，经一至二周的老化，可使其性能稳定。;⒎温度特性

光敏电阻的性能(灵敏度、暗电阻)受温度的影响较大。随着温度的升高，其暗电阻和灵敏度下???，光谱特性曲线的峰值向波长短的方向移动。硫化镉的光电流I和温度T的关系如图所示。有时为了提高灵敏度，或为了能够接收较长波段的辐射，将元件降温使用。;光生伏特效应型光传感器;;;;1.普通光敏二极管

光敏二极管符号如图2.10，结构与一般二极管相似、它装在透明玻璃外壳中，其PN结装在管顶，可直接受到光照射。光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态，如图2.11所示。;硅光敏二极管的特性描述：

光照特性

光敏二极管的光电流与光照度之间呈线性关系，其光照特性是线性的，所以适合定量检测等方面的应用。

光谱特性

特点是：存在长、短波限，存在峰值波长；pn结靠近硅片表面可提高短波响应灵敏度；使用高阻单晶硅材料，可使耗尽区在反偏压时加宽，提高长波响应灵敏度。

暗电流的影响

在实际应用中，我们期望暗电流越小越好，管芯的受光面积大、所加电压高和环境温度高都会使暗电流增大，从而影响光电二极管的性能。;2.PIN型光电二极管

PIN管是光电二极管中的一种。它的结构特点是，在P型半导体和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体I层。这样，PN结的耗尽区就基本上全集中于I层中，从而使PN结双电层的间距加宽，结电容变小。由式τ=CjRL与f=1/2πτ知，Cj小，τ则小，频带将变宽，响应速度快。;;3.雪崩式光电二极管(APD)

雪崩式光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。这种管子工作电压很高，约100～200V，接近于反向击穿电压。其结构为，如下图所示。;优点：这种管子有很高的内增益（电流放大功能），可达到几百。当电压等于反向击穿电压时，电流增益可达106，即产生所谓的雪崩，此时反向电流大大提高。这种管子响应速度特别快，带宽可达100GHz，是目前响应速度最快的一种光电二极管。;4.光敏晶体三极管

光敏三极管有PNP型和NPN型两种，如图2.14所示。其结构与一般三极管很相似，只是它的发射极一边做的很大,以扩大光的照射面积,且其基极不接引线。以NPN型光敏三极管为例，当集电极加上正电压,基极开路时,集电结处于反向偏置状态。;光敏三极管的基本工作模型;;;（2）伏安特性;光敏晶体管的光照特性;暗电流/mA;（5）光敏三极管的频率特性

光敏三极管的频率特性曲线如图所示。光敏三极管的频率特性受负载电阻的影响，减小负载电阻可以提高频率响应。一般来说，光敏三极管的频率响应比光敏二极管差。对于锗管，入射光的调制频率要求在5kHz以下。硅管