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2000-9-201第九章MOS场效应晶体管9-1，MOS管基本原理9-2，MOS管的电学参数1阈值电压9-3，电流方程9-4，其他电学参数

第九章Mos场效应晶体管原理2000-9-202参考书：01双极型与MOS半导体器件原理02黄均鼎汤庭鳌编著 03复旦大学出版社04晶体管原理05半导体器件电子学（英文版）06美国，,07电子工业出版社08

9-1MOS晶体管工作原理2000-9-20VLSICAD,CHP.03213MOS晶体管的结构特点和基本原理MOS晶体管的阈值电压分析MOS晶体管的电流方程4MOS晶体管的瞬态特性

9-1，MOS晶体管工作原理2000-9-20VLSICAD,CHP.04MOS晶体管的结构特点和基本原理MOS晶体管的阈值电压分析MOS晶体管的电流方程MOS晶体管的瞬态特性补充：1-5MOS晶体管的其它电学参数1

9-1-1??MOS晶体管的基本结构2000-9-20VLSICAD,CHP.05MOS晶体管---MOSFET,金属-氧化物-半导体场效应晶体管基本结构：源区，漏区，沟道区,图1-1-2，图1-1-1,主要结构参数：沟道长度（1-1-2,栅极图形沟道长度poly,实际沟道长度S-D）沟道宽度W (1-1-3,W=W1+W2+W3)栅氧化层厚度tox源漏区结深Xj（见图1-1-1）

9-1-2MOS管基本工作原理2000-9-20VLSICAD,CHP.06工作原理--栅压控制器件(1-1-4能带图)Vgs=0，截止0VgsVt，截止（沟道表面耗尽、弱反型）VgsVt（图1-3-3）开启情况1：Vds=0情况2：Vds0转移特性曲线（图1-1-5，漏级电流，栅压，漏压，阈值电压）输出特性曲线---I-V曲线（图1-1-6，截止区，线性区，饱和区，击穿区）问题：为什么MOS晶体管也叫单极晶体管？

9-1-3MOS晶体管的分类2000-9-20VLSICAD,CHP.07按导电类型：NMOS管：N沟道MOS晶体管PMOS管：P沟道MOS晶体管按工作机制分：增强型器件：（也叫常截止器件）耗尽型器件：（也叫常导通器件）图1-1-9

9-1-4MOS晶体管的结构特点01结构简单面积小-------便于集成03源漏对称-------------电路设计灵活02输入阻抗很高-------级间可以直接耦合04有效工作区集中在表面，和衬底隔离

9-2MOS管的阈值电压分析2000-9-20VLSICAD,CHP.0901VgsVt：导通态。阈值电压定义：使沟道区源端半导体表面达到强反型所需要的栅压。阈值电压Vt：决定MOS管状态的关键。VgsVt：截止态；020304

9-2-1影响阈值电压的因素2000-9-20VLSICAD,CHP.010定义：Vt=Vgs|表面强反型时表达式：Vt=VFB+2фF-QBm/Cox电压降在平带电压，强反型电压，栅氧化层计算：将公式1-1-3到1-2-8代入上式

9-2-1影响Vt的基本因素2000-9-20VLSICAD,CHP.0121，材料：金属类型фMS，氧化层中的电荷QOX半导体沟道区掺杂浓度NA半导体材料参数ni;εi2，氧化层厚度：越厚则阈值电压越大衬底参杂高，则阈值电压越大3，温度：温度上升，阈值电压下降4，和器件的横向尺寸无关调整考虑：降低。以便降低芯片耗电。控制器件类型平衡对偶器管子（CMOS）

9-2-2体效应对阈值电压的影响2000-9-20VLSICAD,CHP.013Vbs不是0时，产生体效应。1例：对nmos管Vbs0，源和漏PN结反偏--QBm增加--阈值电压增加2计算：公式1-2-11和1-2-13（下页）3理论结果：Vbs增加，则阈值电压增加衬底浓度增加，则阈值电压增加4实验结果：图1-2-15

体效应公式2000-9-20VLSICAD,CHP.014

9-2-3离子注入调节阈值电压2000-9-20VLSICAD,CHP法：离子注入和衬底相反类型的杂质，以便形成原始沟道。例2：耗尽型器件要低或相反的阈值电压高的阈值电压用高的衬底掺杂完成，但击穿电压低、结电容大、体校应系数大。做法：离子注入产生局部高的衬底浓度，注入和衬底相同类型的杂质。例1：增强型器件要高的阈值电压

短、窄沟道效应对阈值电压的影响1短沟道效应现象：图1-2-5,L方向，源漏耗尽区横向扩展使有效的L下降。分析：耗尽层体积减小--使栅压控制的耗尽层电荷减少--使阈值电压降低公式：1-2-29计算结果：图1-2-612

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