硅基氧化锌薄膜：从外延生长到电致发光特性的深度剖析.docx

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2025-09-25 发布于上海
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硅基氧化锌薄膜：从外延生长到电致发光特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，氧化锌（ZnO）薄膜凭借其独特的性能优势，逐渐崭露头角并占据了重要地位。氧化锌晶体呈现六方纤锌矿结构，拥有一系列优异特性。其常温下的禁带宽度约达3.37eV，属于宽禁带半导体材料，这一特性使得它在短波长光电器件的应用中展现出巨大潜力，尤其是在紫外光电器件领域，如紫外探测器和紫外发光二极管（LED），能实现高效的光电转换。此外，氧化锌还具有高达60meV的激子结合能，远高于许多常见半导体材料，这使得它在室温下就能够实现有效的激子发射，为制备高性能的发光器件提供了可能，是理想的