第5章 频率响应.ppt

3.高频电压放大倍数：高频段频率响应分析第30页，共41页，星期日，2025年，2月5日4.电压放大倍数的波特图全频段放大倍数表达式：第31页，共41页，星期日，2025年，2月5日定性分析fbw＝fH－fL≈fH矛盾当提高增益时，带宽将变窄；反之，增益降低，带宽将变宽。二、频率响应的改善和增益带宽积第32页，共41页，星期日，2025年，2月5日定量分析若rbeRb、RsRb、，则可以证明图示电路的说明决定于管子参数对于大多数放大电路，增益提高，带宽都将变窄。要想制作宽频带放大电路需用高频管，必要时需采用共基电路。约为常量根据第33页，共41页，星期日，2025年，2月5日5.5多级放大电路的频率响应一、多级放大电路的频率特性的定性分析二、截止频率的估算第34页，共41页，星期日，2025年，2月5日第5章频率响应第1页，共41页，星期日，2025年，2月5日5.1频率响应概述一、频率响应研究的问题三、频率响应的基本概念二、放大电路的频率参数四、波特图第2页，共41页，星期日，2025年，2月5日一、研究的问题放大电路对信号频率的适应程度，即信号频率对放大倍数的影响。由于放大电路中耦合电容、旁路电容、半导体器件极间电容的存在，使放大倍数为频率的函数。在使用一个放大电路时应了解其信号频率的适用范围，在设计放大电路时，应满足信号频率的范围要求。第3页，共41页，星期日，2025年，2月5日二、放大电路的频率参数在低频段，随着信号频率逐渐降低，耦合电容、旁路电容等的容抗增大，使动态信号损失，放大能力下降。在高频段，随着信号频率逐渐升高，晶体管极间电容和分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小，使动态信号损失，放大能力下降。下限频率上限频率第4页，共41页，星期日，2025年，2月5日三、频率响应的基本概念高通电路:信号频率越高，输出电压越接近输入电压。定性分析：定量分析：第5页，共41页，星期日，2025年，2月5日1.高通电路：频率响应fL低频段放大倍数表达式的特点？下限截止频率的特征？ffL时放大倍数约为1第6页，共41页，星期日，2025年，2月5日2.低通电路:

信号频率越低，输出电压越接近输入电压。定性分析：定量分析：第7页，共41页，星期日，2025年，2月5日2.低通电路：频率响应fH高频段放大倍数表达式的特点？上限截止频率的特征？ffH时放大倍数约为1第8页，共41页，星期日，2025年，2月5日几个结论①电路低频段的放大倍数需乘因子②当f=fL时放大倍数幅值约降到0.707倍，相角超前45o；当f=fH时放大倍数幅值也约降到0.707倍，相角滞后45o。③截止频率决定于电容所在回路的时间常数电路高频段的放大倍数需乘因子④频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。第9页，共41页，星期日，2025年，2月5日四、波特图波特图由对数幅频特性和对数相频特性两部分组成。横轴：采用对数坐标。

纵轴：幅频特性采用高通电路和低通电路的波特图见P225。结论：（1）电路的截止频率决定于电容所在回路的时间常数τ。（2）当信号频率等于fL或fH时，放大电路的增益下降3dB，而且产生45°相移。第10页，共41页，星期日，2025年，2月5日5.2晶体管的高频等效模型一、晶体管的混合π模型二、晶体管电流放大倍数的频率响应三、晶体管的频率参数第11页，共41页，星期日，2025年，2月5日结构：由体电阻、结电阻、结电容组成。rbb’：基区体电阻rb’e’：发射结电阻Cπ：发射结电容re：发射区体电阻rb’c’：集电结电阻Cμ：集电结电容rc：集电区体电阻因多子浓度高而阻值小因面积大而阻值小一、混合π模型：形状像Π，参数量纲各不相同第12页，共41页，星期日，2025年，2月5日混合π模型：忽略小电阻，考虑集电极电流的受控关系gm为跨导，它不随信号频率的变化而变。因在放大区iC几乎仅决定于iB而阻值大因在放大区承受反向电压而阻值大第13页，共41页，星期日，2025年，2月5日混合π模型：忽略大电阻的分流Cμ连接了输入回路和输出回路，引入了反馈，信号传递有两个