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氧化锌纳米结构：多元制备技术与性能特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，氧化锌（ZnO）纳米结构凭借其独特的物理化学性质，占据着极为重要的地位。ZnO作为一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度高达3.37eV，激子束缚能为60meV，远高于室温热离化能（26meV）。这一特性使得ZnO在室温下能够实现高效的激子复合发光，在光电器件应用中具有巨大潜力。与传统块体材料相比，ZnO纳米结构由于尺寸效应和表面效应，展现出许多优异的性能，如高比表面积、良好的光学非线性、强紫外吸收能力等，使其在光、磁、催化等多个领域成为研究热点。

在光学