《续晶闸管》课件.pptxVIP

晶闸管（第五章补充内容）晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（SiliconControlledRectifier——SCR）1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品1958年商业化开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代，使半导体器件的应用由弱电领域扩展到强电领域。20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代

一、晶闸管的基本结构KGA(b)符号(a)外形晶闸管的外形及符号

PN结及其导电原理N型半导体-------------P型半导体----------++++++------PN结(耗尽层）-------------+--------------+-+++++---+++++-------

G控制极K阴极阳极AP1P2N1N2四层半导体三个

PN

结晶闸管的结构晶闸管是具有三个PN结的四层结构,如图。

P1P2N1N2KGA晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合KAT2T1+_P2N1N2IGIAP1N1P2IKGP1P2N1N2N1P2AGK

三、工作原理T1T2A在极短时间内使两个三极管均饱和导通，此过程称触发导通。形成正反馈过程KGEA0、EG0EGEA+_R

晶闸管导通后，去掉EG，依靠正反馈，仍可维持导通状态。GEA0、EG0KEA+_RT1T2EGA形成正反馈过程

晶闸管导通的条件晶闸管正常导通的条件：晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压，UAK0晶闸管门极和阴极之间必须施加适当的正向脉冲电压和电流，UGK0晶闸管导通后，控制极便失去作用。依靠正反馈，晶闸管仍可维持导通状态。.维持晶闸管导通的条件：保持流过晶闸管的阳极电流在其维持电流以上

只需将流过晶闸管的电流减小到其维持电流以下，可采用：01减小阳极电压03阳极电压反向02增大回路阻抗04晶闸管的关断晶闸管关断的条件

四、伏安特性（静特性）正向特性反向特性URRMUFRMIG2IG1IG0UBRIFUBO正向转折电压IHoUIIG0IG1IG2+_+_反向转折电压正向平均电流维持电流?U

正向特性IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，正向阻断状态。正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。晶闸管本身的压降很小，在1V左右。晶闸管的伏安特性(IG2IG1IG)

反向特性施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。晶闸管的伏安特性

动特性晶闸管的开通和关断过程波形

1)开通过程延迟时间td?s)上升时间tr(0.5-3?s)开通时间tgt以上两者之和，tgt=td+tr晶闸管的开通和关断过程波形2)关断过程反向阻断恢复时间trr正向阻断恢复时间tgr关断时间tq以上两者之和tq=trr+tgr普通晶闸管的关断时间约几百微秒。

六、主要参数UFRM:正向重复峰值电压（晶闸管耐压值）晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。一般取UFRM=80%UB0。普通晶闸管UFRM为100V-3000V反向重复峰值电压控制极开路时,允许重复作用在晶闸管元件上的反向峰值电压。一般取URRM=80%UBR普通晶闸管URRM为100V-3000VURRM：

额定正向平均电流环境温度为40?C及标准散热条件下，晶闸管处于全导通时可以连续通过的工频正弦半波电流的平均值。IF：IF?t?2?如果正弦半波电流的最大值为Im,则普通晶闸管IF为1A—1000A。

UF:通态平均电压（管压降）在规定的条件下，通过正弦半波平均电流时，晶闸管阳、阴极间的电压平均值。一般为1V左右。IH:维持电流在规定的环境和控制极断路时，晶闸管维持导通状态所必须的最小电流。一般IH为几十~一百多毫安。UG、IG：控制极触发电压和电流室温下，阳极电压为直流6V时，使晶闸管完全导通所必须的最小控制极直流电压、电流。一般UG为1到5V，IG为几十到几百毫安。

01除开通时间tgt和关断时间tq外，还有：动态参数02——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。——电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通。断态电压临界上升率du/dt03——指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。——如果电流上升太快，可能造成局部过热而