面向GaN应力分析的SEM-Raman_PL_CL联用系统与表征方法.pdfVIP

摘要

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料，相较于硅(Si)和砷化镓(GaAs)等

传统半导体材料，具有宽禁带宽度、高电子迁移率、高击穿电场、耐高温等优良

特性，广泛应用于功率器件中。GaN材料及其器件在制备和服役过程中会不可避

免地在内部引入残余应力，极大地限制了GaN材料及其器件的性能和稳定性。

近年来，GaN材料的应力表征及其应变工程一直是相关领域的研究热点。扫描电

子显微镜(SEM)、显微拉曼/荧光光谱(Raman/PL)及阴极荧光(CL)在半导体

材料的无损表征中各具优势，但也存在各自的局限性，因此实现这些技术的联用

对于表征GaN材料的结构和力学性能具有重要意义。同时，目前GaN材料的拉

曼力学表征模型由于没有考虑应力状态的影响，无法实现GaN材料应力的精细

表征。在此背景下，本文提出了SEM、Raman/PL及CL系统的联用，并开展三

者联用仪器的研究。

本文基于封装式信号光路和扫描电子显微镜，进行了SEM-Raman/PL/CL联

用系统联用方式的设计。根据SEM与Raman/PL/CL连接方式的不同，设计了

“分离式”和“内置式”两种连接方案，选择了其中的“分离式”连接方式进行

搭建并完成了调试和标定。单晶硅拉曼Mapping、碳纤维和芳纶纤维的单轴拉伸

及近紫外光信号采集等实验结果表明，联用系统具有较好的稳定性和测量准确性。

本文针对封装式光纤显微拉曼系统中探测模块存在的0-1问题，进行了系统

中光学元件的标定与偏振性能测试实验，根据实验结果确定了导致0-1问题的主

要因素，优化了部分光学元件的位置和选型，同时开展了角分辨探测调整装置的

改进设计，提升了系统整体的稳定性。

本文面向GaN材料的应力精细表征，发展了(0001)面GaN材料的拉曼应

力表征模型，并通过开展单轴压缩实验对模型进行了验证。将该表征模型与扩展

腔模型相结合，针对GaN材料压痕周边残余应力开展了精细拉曼实验测量，定

量给出了压痕周边残余应力分量场。

关键词：氮化镓，扫描电子显微镜，显微拉曼/荧光光谱，阴极荧光光谱，联用

系统，仪器研制，应力分量表征

I

ABSTRACT

Asthethird-generationsemiconductormaterials,galliumnitride(GaN)iswidely

usedinpowerdevices.Comparedwithtraditionalsemiconductormaterialssuchas

silicon(Si)andgalliumarsenide(GaAs),GaNhasexcellentpropertiessuchaswide

bandgap,highelectronmobility,highbreakdownelectricfieldandhightemperature

resistance.However,theresidualstressintroducedintotheGaNlayerduring

preparationandservicegreatlylimitstheperformanceandstabilityofGaNmaterials

anddevices.Inrecentyears,thestresscharacterizationandstrainengineeringofGaN

materialshavebeenaresearchhotspotinrelatedfields.

Scanningelectronmicroscopy(SEM),micro-Raman/photoluminescence

(Raman/PL)spectroscopyandcathodoluminescence(CL)spectroscopyeachh