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导电性的测量电桥法（单电桥，双电桥－克服附加电阻）直流电位差计测量法（消除连线电阻和接触电阻）半导体电阻的测量（四探针法）绝缘体电阻的测量（电容和冲击检流计测量法）第30页，共65页，星期日，2025年，2月5日1、工作电流标准化（K到N）2、求待测电动势（K到X）3、求待测电阻RxRx=R标Ux/U标特点：消除连线电阻和接触电阻第31页，共65页，星期日，2025年，2月5日电阻分析的应用合金的时效合金的有序－无序转变固溶体的溶解度淬火钢的回火第32页，共65页，星期日，2025年，2月5日Al-Cu合金时效步骤：1、加热到α单相区固溶2、淬水，得到过饱和α固溶体3、在室温或加热时效：a.析出GP区（与基体共格）b.析出θ’’（与基体共格）c.析出θ’（与基体半共格）d.析出CuAl2（与基体非共格），并聚集长大。基体Cu含量减少，电阻下降。第33页，共65页，星期日，2025年，2月5日铝合金在180℃时效5秒钟，铜原子的偏聚第34页，共65页，星期日，2025年，2月5日25℃时效产生的GP区在215℃保温时又溶回到基体中，形成均匀固溶体，电阻下降。第35页，共65页，星期日，2025年，2月5日合金的有序－无序转变（有序结构电阻率低）第36页，共65页，星期日，2025年，2月5日测量方法：1、将不同成分的试样加热到略低于共晶（共析）转变温度t0，保温足够的时间，然后淬火得到过饱和固溶体。2、把淬火试样加热到低于t0的各个温度保温，使组织达到平衡。3、然后再淬火到室温测量电阻率，作出ρ-B％曲线。4、找出转折点对应的浓度，即为各温度下B在A中的溶解度。第37页，共65页，星期日，2025年，2月5日淬火钢的回火1、110℃马氏体分解，正方度下降，电阻率降低。含C量越高，马氏体脱溶分解（电阻率下降）越急剧。2、230℃残余奥氏体分解，基体C含量减少，电阻率下降。第38页，共65页，星期日，2025年，2月5日材料的疲劳过程缺陷密度增高、裂纹的形成，使试样电阻增加。第39页，共65页，星期日，2025年，2月5日半导体的电学性能半导体中电子的能量状态－能带满带、禁带和导带本征半导体N型半导体P型半导体PN结的特性第40页，共65页，星期日，2025年，2月5日由于电子能否由价带跃迁到空的导带中，主要取决于能隙的大小。C、Si、Ge、Sn的能隙分别为5.4eV、1.1eV、0.67eV和0.08eV。可以算得室温（27℃）下上述元素中进入导带的电子几率分别为1.2x10-47、2.5x10-10、1.5x10-6和0.17。故金刚石为绝缘体，锡可算作导体，而硅、锗即为半导体。第41页，共65页，星期日，2025年，2月5日本征半导体－纯净的无结构缺陷半导体单晶，如单晶Si。半导体受到热激发，满带中的部分价电子跃迁到空带中，形成自由电子和空穴。两者成对出现。无外电场作用，自由电子和空穴运动无规则，不产生电流。加外电场，电子逆电场方向运动，空穴顺电场方向运动，形成电流。故自由电子和空穴统称为载流子。第42页，共65页，星期日，2025年，2月5日本征半导体的电学性能本征载流子（自由电子和空穴）浓度相等：迁移率－单位场强下自由电子和空穴的平均漂移速度电流密度－单位面积的电流电阻率和电导率第43页，共65页，星期日，2025年，2月5日掺杂半导体N型半导体P型半导体第44页，共65页，星期日，2025年，2月5日N型半导体在本征半导体中掺入五价元素杂质（P、As、Sb等，形成多余价电子。该多余价电子能量状态较高，在常温下能进入导带，使自由电子浓度极大提高。五价元素称为施主杂质（提供多余电子）N型半导体（电子型半导体）中，自由电子的浓度大，称为多数载流子，简称多子。电流由自由电子产生。本征激发产生的空穴被自由电子复合，故空穴的数量少，称为少子。第45页，共65页，星期日，2025年，2月5日N型半导体电导率随温度的变化随温度的增加，越来越多的施主杂质电子能进入导带，最后直到所有杂质电子全部进入导带。当达到这一温度时，称为施主耗尽。此时电导率为常数（因为温度太低，无本征电子及空穴的导电）。通常选择在施主耗尽即平台温度的范围内工作。第46页，共65页，星期日，2025年，2月5日第1页，共65页，星期日，2025年，2月5日导电性电阻与材料性能和尺寸的关系电阻率电导率电阻温度系数导体（纯金属10-8~10-7Ω·m，合金10-7~10-5Ω·m）半导体（10-3~