光催化材料的研究概况.pptVIP

光催化材料的研究概况演示文稿目前一页\总数十六页\编于十七点

优选光催化材料的研究概况目前二页\总数十六页\编于十七点

光催化的由来1839年，Becquerel发现了光电现象1955年，Brattain和Gareet才对光电现象进行了合理的解释，标志着光电化学的诞生1972年，日本东京大学Fujishima和Honda研究发现，利用TiO2单晶进行光催化反应可使水分解成氢和氧。这一开创性的工作标志着光电现象应用于光催化分解水制氢研究的全面启动过去40年里，人们在光催化材料开发与应用方面的研究取得了丰硕的成果目前三页\总数十六页\编于十七点

什么是光催化材料？光催化材料是指在光作用下可以诱发光氧化一还原反应的一类半导体材料。世界上能作为光催化材料的有很多，包括二氧化钛、氧化锌、氧化锡、二氧化锆、硫化镉等多种氧化物硫化物半导体，其中二氧化钛(TitaniumDioxide)因其氧化能力强，化学性质稳定无毒，成为世界上最当红的纳米光触媒材料。目前四页\总数十六页\编于十七点

举个例子目前五页\总数十六页\编于十七点

光催化净化空气光催化涂层专用纳米二氧化钛具有光催化降解甲醛、苯、氨等有害气体的功效。具有抗污、屏蔽紫外线功效。拥有持续有效的杀菌效果，无需另外添加抗菌剂。实验证明1%纳米二氧化钛浓度,自然光照射下作用24h对金黄色葡萄球菌、大肠杆菌和枯草杆菌黑色变种芽孢的抗菌率分别为97.7%,99.7%,88.2%;在不同温度、pH和光源条件下纳米二氧化钛均表现出很好的抗菌效果。目前六页\总数十六页\编于十七点

当然还有……目前七页\总数十六页\编于十七点

光催化材料的基本原理光催化反应的基本过程当入射光能量等于或高于半导体材料的禁带宽度时，半导体材料的价带电子受激发跃迁至导带，同时在价带上产生相应的空穴，形成电子空穴对；光生电子、空穴在内部电场作用下分离并迁移到材料表面，进而在表面处发生氧化一还原反应。吸附在纳米颗粒表面的溶解氧俘获电子形成超氧负离子,而空穴将吸附在催化剂表面的氢氧根离子和水氧化成氢氧自由基。而超氧负离子和氢氧自由基具有很强的氧化性,能将绝大多数的有机物氧化至最终产物CO2和H2O,甚至对一些无机物也能彻底分解。目前八页\总数十六页\编于十七点

影响光催化反应的关键因素发现：无论是光催化分解水还是光催化环境净化，二者均需要半导体具有合适的导价带位置以保证光激发的电子一空穴具有匹配的还原一氧化能力发生光催化反应关键因素光催化材料本身的光生载流子激发、分离、输运行为制约光催化反应发生的多相界面作用行为目前九页\总数十六页\编于十七点

原因：现有的许多光催化材料的光响应范围窄，量子转换效率低（催化剂活性），太阳能利用率低。高效新型光催化材料？附：低于420nm左右的紫外光能量大概只占太阳光能的4%，如何利用可见光乃至红外光能量，是决定光催化材料能否在得以大规模实际应用的先决条件。常规TiO2只能在紫外光响应，虽然通过搀杂改性，其吸收边得以红移，但效果还不够理想。因此，开发可见光响应的高效光催化材料是该领域的研究热点。具备条件目前十页\总数十六页\编于十七点

光催化材料的开发现状与研究方法目前国内外光催材料的研究多数停留在二氧化钛及相关修饰,尽管这些工作卓有成效，但是在规模化利用太阳能方面还远远不够。光催化研究的关键问题之一是发展能够在太阳光下高效工作的稳定、低成本半导体光催化材料。为了与传统的TiO2，SrTiO3等仅具有紫外光响应的光催化材料相区别，人们称具有可见光响应的光催化材料为新型光催化材料。研究方法目前十一页\总数十六页\编于十七点

提高光催化材料性能的途径目前十二页\总数十六页\编于十七点

原理：元素掺杂可以通过轨道杂化有效地改变半导体的导价带位置掺杂改性调控导带位的阴离子掺杂共掺杂调控价带位的阳离子掺杂主要采用B，C，N，S和P等非金属元素的P轨道和氧化物半导体中的O的P轨道杂化提高其导带位置，从而使一些宽带隙半导体具有可见光响应多采用Cr，Ni，Fe，V等具有3d电子轨道的过渡族金属在宽带隙氧化物半导体的带隙中插入一个能带使其获得可见光响应在遵循原子比例平衡条件下兼顾化合价态平衡，以阴、阳离子共掺同时调整半导体的导、价带位置，改变能带结构，改善光催化活性目前十三页\总数十六页\编于十七点

复合半导体复合半导体固溶体异质结利用两种半导体形成固溶体，其性质随各个组元在固溶体中所占百分比而变化，可以实现对半导体带隙的连续可调，因而固溶体半导体光催化材料近年来得到了广泛发展异质结利用内建电场使得载流子传输具有定向性，因而有效地分离电子一空穴，降低复合。利用窄带隙半导体与宽带隙半导体形成异质结可以有效地拓宽光响应范围pn结为例：当以光子能量大于半导体禁带宽度的入射光照射pn结时，