氢等离子体处理对ZnO薄膜光电性能影响的深度探究.docx

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2025-09-27 发布于上海
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氢等离子体处理对ZnO薄膜光电性能影响的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代光电子技术的飞速发展，对高性能光电材料的需求日益迫切。ZnO薄膜作为一种重要的宽禁带半导体材料，凭借其独特的物理性质和广泛的应用潜力，在光电领域展现出了巨大的价值。

ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，具有较高的激子结合能（60meV）。这些特性使得ZnO薄膜在光电器件应用中具有独特的优势。在光电显示领域，如液晶显示器（LCD）、有机发光二极管显示器（OLED）等，ZnO薄膜可作为透明导电电极。其在可见光范围内具有高透过率，能够保证显示画面的清