第八章显微分析.pptVIP

（a）（b）（c）（d）图8-38β晶IPP的SEM照片图8-38的β晶IPP与α晶明显不同，β晶是由弧形层片状晶所组成，其内部排列较αIPP疏松得多，无定形区存在于各层之间，即存在于球晶内部。从图（a）可看出，β晶有几种图像，有的球晶是绕一个中心螺旋状生长开去，有的象中间切开的包心菜，还有的象双曲线形散开，从图（b）可看到β晶边缘内部也有层片状，图（c）和图（d）是在更高放大倍数下的观察，图（c）晶片呈弧形生长，又不断支化，层片结构不断发生扭曲，而图（d）很象一朵花，晶片绕一个中心向外排列。第61页，共86页，星期日，2025年，2月5日第三节透射电子显微镜一、透射电镜的成像原理（一）电子束与固体的相互作用当电子的运动方向被改变时，称为散射。如果电子只改变运动方向而电子的能量不发生变化时，称为弹性散射，如果电子的运动方向和能量同时发生改变，称为非弹性散射。电子与试样相互作用可以得到如图8-14所示的各种信息图8-14电子与试样作用产生的信息1-感应电动势；2-阴极荧光；3-特征X射线；4-背散射电子；5-俄歇电子；6-二次电子；7-吸收电子；8-透射电子第29页，共86页，星期日，2025年，2月5日1．感应电动势在试样上加一电压时，试样中会产生电流。在电子束照射下，由于试样中电子电离和电荷积累，试样的局部电导率发生变化，于是试样中产生的电流有所变化，这就是感应电动势（感应电导），这种现象对研究半导体材料很有用。2．阴极荧光当入射电子与试样作用时，电子被电离，高能级的电子向低能级跃迁并发出可见光，称为阴极荧光。各种元素具有各自特征颜色的荧光，因此可作光谱分析。3．特征X射线入射电子与试样作用，被入射电子激发的电子空位由高能级的电子填充时，其多余能量以辐射形式释放，产生特征X射线。各元素都有自己的特征X射线，具有不同的波长和能量，因此可用来分析样品中某元素的性质、含量及分布状况。第30页，共86页，星期日，2025年，2月5日4．二次电子二次电子的能量较低，约为0～50eV，大部分为2～3eV，发射深度一般不超过5～10nm。试样深处激发的二次电子没有足够的能量逸出表面。二次电子的强度与试样表面的几何形状、物理和化学性质有关，因此二次电子像能够表征试样表面丰富的细微结构。5．背散射电子背散射电子的能量较高（高于50eV)，发射深度约为10nm～1μm。背散射电子的强度与试样表面形貌和组成元素有关。6．俄歇电子从高能级跃迁到低能级而电离逸出试样表面的电子称为俄歇电子（AugerElectron）。每一种元素都有自己的特征俄歇能谱，因此可以利用俄歇电子能谱进行轻元素和超轻元素的分析（氢和氦除外）。第31页，共86页，星期日，2025年，2月5日7．吸收电子入射电子与试样作用后，由于非弹性散射失去一部分能量而被试样吸收，称为吸收电子。用一高灵敏度的电流表可测量出样品的吸收电流值，吸收电流经过适当放大后成像，即形成系数电流像，它的衬度明暗与背散射电子和二次电子像相反。吸收电子与入射电子强度之比和试样的原子序数、入射电子的入射角、试样的表面结构有关。8．透射电子当试样的厚度小于入射电子穿透的深度时，一部分入射电子与试样作用引起弹性散射或非弹性散射透过试样的电子称为透射电子。透射电子显微镜就是利用透射电子成像的。如果试样很薄（几十个纳米）时，则透射电子主要是弹性散射电子，这时成像比较清晰，电子衍射斑点也比较明锐；如果试样比较厚，成像模糊，电子衍射斑点也不明锐。第32页，共86页，星期日，2025年，2月5日（二）电子的波长快速运动的电子具有波粒二向性，电子作为波的性质，其重要特征是电子的波长。（nm）（8-12）表8-1不同加速电压下的电子波长第33页，共86页，星期日，2025年，2月5日（三）电子透镜1．静电透镜2．磁透镜第34页，共86页，星期日，2025年，2月5日（四）电子透镜的像差如果从物面上一点向不同方向发出的电子都会聚到像平面上一点，像与物是几何相似关系，它们之间只是一个放大倍数M的比例关系，这是理想成像（高斯成像）。理想成像的条件是：场分布严格轴对称；满足旁轴条件，即物点离轴很近，电子射线与轴之间夹角