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In组分渐变对InGaN/GaN多量子阱结构光学特性的影响与机制探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在全球能源消耗中，照明用电占据着相当大的比例。随着能源问题日益凸显，发展节能高效的新型照明技术迫在眉睫。发光二极管（LED）凭借其亮度高、能耗低、寿命长和响应快等显著优势，成为了第四代照明方式的理想选择，正逐步取代传统照明。在众多用于制备LED的材料体系中，氮化镓（GaN）基材料脱颖而出，其具有直接带隙且带隙可通过改变合金组分进行调节的特性，吸引了广泛关注。通过调整有源区铟镓氮（InGaN）或者铝镓氮（AlGaN）中In、Ga、Al三种元素的含量，GaN基LED的禁带宽度可在0.7eV到6.2eV之间变化，相应地，其发光波长能够从近紫外覆盖到近红外，这使得GaN基LED在普通照明、背光源和显示等诸多领域得到了大量应用。

目前，InGaN/GaN多量子阱（MQWs）基LED在蓝光波段已经取得了显著成就，其内量子效率（IQE）已超过90%。然而，随着发光波长向长波方向延伸，尤其是进入黄绿波段时，InGaN/GaNMQW基LED的IQE却显著下降，出现了所谓的“黄绿鸿沟”问题。这一问题严重制约了LED在全彩显示和固态照明等领域的进一步发展。造成“黄绿鸿沟”的原因主要有两方面：一是InGaN阱层中In原子与Ga原子尺寸差异较大，且InN和GaN之间存在严重的晶格失配，这容易导致相分离或组分波动，随着In组分增加，材料质量恶化，非辐射复合中心增多；二是在MQW中InGaN阱层和GaN垒层之间存在较大的晶格失配和热失配，从而产生极化电场，引发量子限制斯塔克效应（QCSE）。该效应使得MQW中电子和空穴波函数空间分离，降低了辐射复合效率，并且In组分的增加会加剧QCSE，进一步降低辐射复合效率。

因此，深入研究InGaN/GaNMQW的光学特性，特别是In组分渐变对其光学特性的影响，对于揭示其发光机制、提高电子和空穴波函数交叠、解决“黄绿鸿沟”问题具有重要的理论和实际意义。从理论角度来看，有助于深化对半导体量子阱发光物理过程的理解；从实际应用角度出发，能够为开发高性能的长波长LED提供技术支撑，推动LED在全彩显示、固态照明等领域的更广泛应用。

1.2国内外研究现状

国内外众多科研团队针对InGaN/GaN多量子阱结构开展了大量研究工作。在材料生长方面，金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术是目前生长InGaN/GaNMQW的主流方法。科研人员通过精确控制MOCVD生长过程中的温度、压力、气体流量等参数，在蓝宝石、碳化硅（SiC）和硅（Si）等不同衬底上生长高质量的InGaN/GaNMQW结构。例如，有研究通过优化MOCVD生长工艺，有效降低了材料中的位错密度，提升了材料的晶体质量，进而提高了绿光LED的发光效率。在器件结构设计方面，多量子阱结构被广泛应用于绿光LED中，研究人员通过优化量子阱的阱宽、垒宽以及In组分等参数，来调节电子和空穴的复合效率。此外，还引入了应变补偿技术，如在量子阱中插入应变补偿层，以减小材料中的应力，降低量子限制斯塔克效应的影响，从而提高发光效率。

对于In组分渐变的InGaN/GaNMQW结构的研究也取得了一定进展。一些研究制备了沿生长方向InGaN阱层In组分逐渐增多或逐渐减少的MQW结构，并对其光学特性进行了研究。结果发现，In组分渐变会影响MQW结构的载流子局域效应和辐射复合效率。然而，目前对于In组分渐变的InGaN/GaNMQW结构的研究仍存在一些不足。例如，对于In组分渐变过程中，量子阱中载流子的动力学过程以及电子和空穴波函数的交叠情况，还缺乏深入的理解和系统的研究；不同生长条件下制备的In组分渐变MQW结构的光学特性差异，以及如何通过精确控制In组分渐变来实现最优的光学性能，也有待进一步探索。

1.3研究内容与方法

本研究主要利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术制备实验样品。通过精心调控MOCVD生长过程中的关键参数，包括生长温度、反应气体流量、生长时间等，成功制备出沿生长方向InGaN阱层In组分逐渐变化的InGaN/GaNMQW结构，具体包括In组分逐渐增多和In组分逐渐减少的两种典型结构。

采用光致发光（PL）谱测试手段对制备的样品进行光学特性研究。在测试过程中，严格控制实验条件，确保测试结果的准确性和可靠性。一方面，将样品置于变温环境中，测试温度范围设定为6-300K，通过精确控制温度变化，研究样品在不同温度下的PL