半导体工厂PR资料.pptxVIP

光刻定义添加标题光刻是一种图象复印与选择性腐蚀相结合的加工过程，添加标题即先用照相复印的方法把光刻掩模版上的图形精确地添加标题复印到涂在待刻蚀材料表面的光刻胶上，接着以这种添加标题带图形的光刻胶为腐蚀掩模对材料作选择性腐蚀，使添加标题掩模版上的图形最终精确地转移到SiO2等薄膜上。

工艺流程硅片涂HMDS涂胶光刻胶前烘硅片对准和暴光显影显影后检查后烘刻蚀刻蚀后检查去胶和清洗掩模版光刻工艺

SiRESIST下地下地SiRESIST下地Si露光露光下地SiSiSiSiSiETCH注入氧化·CVD·SPT=下地RESIST涂布目合露光（感光）现象ETCH注入RESIST剥离PR作业工程流程（PR=PhotoResist）

涂布光刻胶的基本形式：正胶、负胶正胶在射线上照射下分解—感光的化合物被钝化了，这样暴光的区域能在显影时很容易的洗去。这样在光刻胶上就产生了光刻掩模版的正图象。负胶在射线—通常是UV—暴光起的聚合以至于暴光后的胶在显影时被去掉了。这样在胶上留下了光刻掩模版的反面影象。注意点：因为光刻胶通常对深紫外线光非常敏感，工艺就需在黄光区域或“金”光区域内进行，直到暴光后的光刻胶被显影以后。

涂布正胶涂布的工艺流程脱水BAKE作为正胶涂布的前处理，去除硅片表面的水分，抑制自然氧化膜的成长。HMDS处理CLEANRESIST涂布PREBAKE运用HMDS使得硅片表面产生疏水性能，从而提高RESIST和下地之间的密着性。为了光刻胶的膜厚能够均匀一致，必须使硅片表面的温度与超净间的温度一样。在硅片表面滴下光刻胶，形成均一的薄膜。调整光刻胶的感度。

涂布光刻胶膜厚的形成过程①光刻胶滴下时间②高速回转数③EdgeRinse＆BackRinse（sec）回转数（rpm）加速度通过喷嘴将光刻胶滴下运用高速的回转，去除多余的光刻胶用THINNER清洗表面背面

露光正胶涂布后目合露光正胶现象RESIST下地SiRESIST下地SiFLYEYELENSCONDENSERLENSRETICLEPROJECTIONLENSNA瞳

露光光刻机的基本构造水银灯激光FLYEYELENSIntegtatorsenserReticleblind反射镜CONDENSERLENSPROJECTIONLENSRETICLENA瞳移动镜（干涉计）X·YSTAGE

光刻机的结构：缩小投影光学系统照明系统自动掩模管理系统自动对准自动调平、调焦系统硅片管理系统工作台激光定位、测量系统计算机和控制（硬件）操作、接口系统（软件）单击此处添加大标题内容露光RETICLE的组成：保护膜铬或氧化铬石英玻璃

露光光刻机的基本性能1.解像度分离解像度（限界解像度）是指在最佳的露光时间、BESTFOCUS时所产生的最小的寸法值。K·λK：定数（RESIST等）解像力=λ：波长NNA：LENS开口数2.焦点深度焦点深度是指在特定条件下、容许聚焦的变动量范围内进行有目的的图形化。K·λ焦点深度=－α（μm）NA（NA）2

露光ベ－スラインオフセツトプロセスオフセットレチクル精度单击此处添加正文，文字是您思想的提炼，为了演示发布的良好效果，请言简意赅地阐述您的观点。您的内容已经简明扼要，字字珠玑，但信息却千丝万缕、错综复杂，需要用更多的文字来表述；但请您尽可能提炼思想的精髓，否则容易造成观者的阅读压力，适得其反。正如我们都希望改变世界，希望给别人带去光明，但更多时候我们只需要播下一颗种子，自然有微风吹拂，雨露滋养。恰如其分地表达观点，往往事半功倍。光刻机的基本性能13.重合精度相对于前工程的图形而言，硅片之间、硅片内，SHOT间、SHOT内的精度精确地重合在一起。重合精度=X+3δ（影响精度的项目）レンズディスト－ションレチクル精度レチクルロ－テ－ショ