第一章 半导体中的电子状态.pptVIP

1.4半导体的导电机理导电条件：有外加电压、有载流子载流子：晶体中荷载电流（或传导电流）的粒子载流子产生途径：升温、光照等等导电机构：电子导电、空穴导电本征(intrinsic)半导体：不含任何杂质的半导体第62页，共99页，星期日，2025年，2月5日空穴的概念在牛顿第二定律(a=F/mn*)中要求有效质量为正值，但价带顶电子的有效质量为负值。为了解决这一问题，引入空穴的概念。价带中不被电子占据的空状态价带顶附近空穴有效质量0数值上与该处的电子有效质量相同，即mp*＝－mn*，空穴带电荷＋q（共价键上少一个电子，破坏局部电中性，显正电）。空穴的能量坐标与电子的相反，分布服从能量最小原理。第63页，共99页，星期日，2025年，2月5日在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。载流子、自由电子和空穴第64页，共99页，星期日，2025年，2月5日共价键共用电子对+4+4+4+4表示除去价电子后的原子绝对温度为零时第65页，共99页，星期日，2025年，2月5日+4+4+4+4自由电子空穴束缚电子热激发后第66页，共99页，星期日，2025年，2月5日两种情况下的能带图第67页，共99页，星期日，2025年，2月5日如何理解空穴导电？设价带有电子跃迁到导带。设电子电流密度为J，则J＝价带（k状态空出）电子总电流设想以一个电子填充到空的k状态，k状态电子电流＝（-q）v（k）v(k):k状态电子的运动速度第68页，共99页，星期日，2025年，2月5日填入这个电子后，价带又被填满，总电流应为零，即J＋（-q）v（k）＝0J＝（＋q）v（k）这就是说，当价带k状态空出时，价带电子的总电流，就如同一个正电荷的粒子以k状态电子速度v（k）运动时所产生的电流。第69页，共99页，星期日，2025年，2月5日引入空穴的意义把价带中大量电子对电流的贡献用少量的空穴表达出来。半导体中有电子和空穴两种载流子，而金属中只有电子一种载流子第70页，共99页，星期日，2025年，2月5日求解2.布里渊区与能带可得到晶体中电子的E(k)-k关系第30页，共99页，星期日，2025年，2月5日虚线：自由电子的E(k)-k关系第31页，共99页，星期日，2025年，2月5日布里渊区特征：（1）k=n/2a(n=±1，±2···)时，能量不连续，形成一系列相间的允带和禁带，其中第一布里渊区：-1/2ak1/2a第二布里渊区：-1/ak-1/2a，（2）E(k)=E(k+n/a),E(k)是k的周期性函数，周期为k；（3）禁带出现在k=n/2a处；（4）每一个布里渊区对应一个能带第32页，共99页，星期日，2025年，2月5日E(k)-k的对应意义：1）每一个k对应一个能量状态(能级）2）每个能带有N个能级，而每个能级可以容纳自旋方向相反的两个电子，因此，每个能带可以容纳2N个电子。第33页，共99页，星期日，2025年，2月5日1.2.3导体、半导体、绝缘体的能带能带理论认为：电子能够导电是因为在外力作用下电子的能量状态发生了变化满带：存在外电场E时，满带中所有电子均以dk/dt=-qE/h逆电场方向运动，但A和a点状态完全相同，满带电子不参与导电。第34页，共99页，星期日，2025年，2月5日半满带：在外电场作用下，电子吸收能量跃迁到未被电子占据的能级上，能量改变，能参与导电第35页，共99页，星期日，2025年，2月5日空穴：带正电荷的准粒子价带电子导电等效为带正电的准粒子，即空穴导电半导体的能带第36页，共99页，星期日，2025年，2月5日Eg(禁带宽度):脱离共价键所需的最低能量Ev(价带顶)：是价带电子的最高能量Ec(导带底)：导带电子的最低能量本征激发：温度一定时，价带电子激发成为导带电子的过程∴Eg=EC-EV第37页，共99页，星期日，2025年，2月5日导带价带禁带导带价带禁带半满带价带禁带绝缘体半导体导体绝缘体、半导体和导体能带示意图第38页，共99页，星期日，2025年，2月5日金属中，由于组成金属的原子中的价电