西安电子科技大学《802集成电路与器件、半导体物理》冲刺串讲及模拟题精讲.pdfVIP

西安电子科技大学《８０２集成电路与器件物理、半导体物理》冲刺串讲及模拟题精讲

《半导体物理》部分

考点一半导体中的电子状态

①单电子近似：认为晶体中的某一个电子是在严格周期性排列且固定不动的原子核的势场以及

其他大量电子的平均势场中运动，这个势场也是周期性变化的，而且它的周期与晶格周期相同。

②半导体中的薛定谔方程

２２

()

φｘ

－·＋Ｖ（ｘ）（ｘ）＝Ｅ（ｘ）

２φφ

２ｍｘ

{０

Ｖ（ｘ）＝Ｖ（ｘ＋ｓａ）

③布洛赫定理以及共有化运动

ｉ２ｋｘ

Ψ（ｘ）＝ｕ（ｘ）ｅπ→布洛赫波函数

ｋｋ

ｕ（ｘ）＝ｕ（ｘ＋ｎａ）

ｋｋ

对于晶体中的电子，＝，

ΨΨｕ（ｘ）ｕ（ｘ）

ＫＫｋｋ

晶格常数为周期共有化运动，共有化运动的概念。

→

考点二有效质量

２

１１Ｅ



有效质量：＝２２



ｍｋ



ｎ

概念的引入以及意义

概括了晶体内部的作用，使得解决电子在外力作用下的运动规则时，可以不参考内部势场的作

用，而ｍ可以有回旋共振实验测得。

ｎ

在半导体的各种各项异性的性质中，最重要的就是有效质量的各向异性。

考点三空穴的概念

①空穴带有与电子电量相等且符号相反的＋ｑ电荷

②空穴的有效质量是一个正的常数，它与价带顶附近空态的电子有效质量大小相同，符号相反。

③速度：价带顶附近空态中电子的共有化速度

④空穴的浓度就是价带顶附近空态的浓度

考点四能带结构以及掺杂

重点掌握Ｓｉ，Ｇｅ、ＧａＡｓ，ＩｎＳｂ的导带以及价带的能带结构

ｄＺ（Ｅ）

考点五状态密度ｇ（Ｅ）＝

ｃｄＥ

（必须会求一维、二维、三维）

１

①先求出ｋ空间的量子态密度，考虑自旋

②求出能量为Ｅ的等能面在ｋ空间所围的长度，面积，体积，再乘以量子态密度即求出Ｚ（Ｅ）

ｄＺ（Ｅ）

③按求出ｇ（Ｅ）

ｄＥ

４

对于实际的半导体Ｓｉ、Ｇｅ，体积＝ａｂｃ

π

３

Ｓｉ：６个旋转椭球等能面，ｓ＝６

Ｇｅ：８个半个旋转椭球等能面，ｓ＝４

１

２２

３

ｍ＝（ｓｍｍ），ｍ状态密度有效质量

ｎｔｌｎ



ｍＧａＡｓ，ＩｎＳｂ

ｎ



ｍ＝

ｎ{ｓ２１

（ｍ）Ｓｉ，Ｇｅ

ｌ３

考点六载流子的统计分布

费米分布函数和玻尔兹曼分布的表达式

１

Ｆｅｒｍｉ分布ｆ（Ｅ）＝，在简并态时使用，受ｐａｕｌｉ不相容原理制约