第2讲 逻辑门电路.pptVIP

当此与非门是由前级门驱动，且前级门的输出为高电平时，IIH就是前级门的拉流负载，见图2.2.8。显然，IIH越大，前级门输出级的负载就越重。为此对IIH要有一个限制，例如，IIH50μA。IIH是TTL与非门特有的参数。IIS和IIH都是TTL与非门的重要参数，它们是估算前级门带负载能力的依据之一。第30页，共43页，星期日，2025年，2月5日3.负载特性及主要参数TTL与非门在实际应用时后面总要与其它门电路相连，也即后面总要带负载的。TTL与非门带的负载有拉流负载和灌流负载两种。1)输出高电平时的负载特性(拉电流负载特性)当TTL与非门输出为高电平时，它向负载提供电流，相当于负载从与非门中拉出电流，此负载就称为拉电流负载，如图2.2.8所示。图中拉流IOH=NIIH,式中N为所带同类型负载门的个数。显然负载RL越小，拉流IOH就越大，前级门输出的高电平UOH也就越低。第31页，共43页，星期日，2025年，2月5日第2讲逻辑门电路第1页，共43页，星期日，2025年，2月5日第2章逻辑门电路2.1概述2.2TTL与非门2.3ECL电路及I2L电路的特点2.4CMOS电路2.5集成逻辑门电路的使用第2页，共43页，星期日，2025年，2月5日2.1概述集成电路(IntegratedCircuit)就是将所有的元件和连线都制作在同一块半导体基片(芯片)上。集成电路分模拟和数字两大类。在数字集成逻辑电路中，常以“门”为最小单位，门是实现各种逻辑（数学）运算的具体电路（器件）。第3页，共43页，星期日，2025年，2月5日我们可按其“集成度”(一定大小的芯片上所含门的数量多少)分成：小规模集成电路(SSI：SmallScaleIntegrating)，一块芯片上含1~50个门。中规模集成电路(MSI：MediumScaleIntegrating),一块芯片上含50~100个门。大规模集成电路(LSI：LargeScaleIntegrating),一块芯片上含100~10000个门。超大规模集成电路(VLSI：VeryLargeScaleIntegrating),一块芯片上含10000个门以上。第4页，共43页，星期日，2025年，2月5日如果集成逻辑门是以双极型晶体管(电子和空穴两种载流子均参与导电)为基础的，则称为双极型集成逻辑门电路。它主要有下列几种类型：E晶体管—晶体管逻辑(TTL：Transistor-TransistorLogic)；高阈值逻辑(HTL：HighThresholdLogic)；射极耦合逻辑(ECL：EmitterCoupledLogic)；集成注入逻辑(I+2L：IntegratedInjectionLogic)。第5页，共43页，星期日，2025年，2月5日如果集成逻辑门是以单极型晶体管(只有一种极性的载流子：电子或空穴)为基础的，则称为单极型集成逻辑门电路。目前应用得最广泛的是金属—氧化物—半导体场效应管逻辑电路(MOS：MetalOxideSemiconductor)。;MOS电路又可分为：PMOS(P沟道MOS)；NMOS(N沟道MOS)；CMOS(PMOS—NMOS互补)。第6页，共43页，星期日，2025年，2月5日2.2TTL与非门2.2.1TTL与非门的典型电路及工作原理1.TTL与非门的典型电路图2.2.1是TTL与非门的典型电路，它由三部分组成。输入级：由多发射极管V1和电阻R1组成，完成逻辑上的“与”。中间级：由V2,R2,R3组成。由于V2的集电极和发射极为V3,V5提供了两个相位相反的信号，所以这级又称倒相级。第7页，共43页，星期日，2025年，2月5日输出级：由V3,V4,V5,R4,R5组成。其中，V5为反相器，V3,V4组成的复合管是V5的有源负载