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电子技术基础

电子技术的历史与发展电子技术经历了从真空管到晶体管，再到集成电路的革命性发展。每一次技术突破都引领了新一代电子产品的诞生与应用。20世纪初期，真空管的发明开启了电子时代；20世纪40年代末，晶体管的出现使电子设备小型化成为可能；而60年代集成电路技术的发展，则彻底改变了电子工业的面貌。

模拟电子与数字电子简介模拟信号模拟电子技术处理的是连续变化的信号，如音频、视频等。特点是信号可以在一定范围内取任意值，精度受噪声影响大。主要应用于音频放大、传感器信号处理等领域。数字信号

基本电学量1电流定义：单位时间内通过导体横截面的电量，用字母I表示单位：安培（A），1A=1库仑/秒电流方向：按照正电荷流动的方向规定2电压定义：两点间电势差，表示单位电荷在电场中获得的能量，用字母U或V表示单位：伏特（V），1V=1焦耳/库仑3电阻定义：导体对电流的阻碍作用，用字母R表示单位：欧姆（Ω）

常用电子元器件分类基本无源元件电阻器：限制电流，分压电容器：储存电荷，滤波电感器：储存磁能，抑制电流变化半导体器件二极管：单向导电三极管：放大信号场效应管：高输入阻抗集成电路模拟IC：运算放大器等

电路基本定律欧姆定律U=I×R，表示电阻两端电压与通过电阻的电流成正比基尔霍夫电流定律（KCL）在任何节点上，流入的电流等于流出的电流∑I=0（代数和）基尔霍夫电压定律（KVL）在任何闭合回路中，电压的代数和等于零∑U=0（代数和）

信号和系统基础信号类型连续信号：在任意时刻都有定义的信号离散信号：仅在特定时刻有定义的序列周期信号：每隔一定时间重复出现的信号系统特性线性系统：满足叠加原理时不变系统：系统响应与输入信号时间无关

电阻器：种类与特性电阻器类型固定电阻：碳膜、金属膜、线绕等可变电阻：电位器、热敏电阻、光敏电阻主要参数阻值：欧姆（Ω）额定功率：瓦特（W）精度：±1%、±5%等温度系数：ppm/°C电阻色环编码

电容器：结构与功能基本结构电容器由两个导体极板（电极）和中间的绝缘材料（介质）组成。电容量C与极板面积成正比，与极板间距离成反比，与介质材料有关。工作原理电容器可以储存电荷，当电压变化时，电容器中的电流：i=C(du/dt)在直流电路中，电容器充电后阻断电流；在交流电路中，电容器表现为阻抗。主要应用滤波：消除电源纹波耦合/隔直：传输交流信号，阻断直流分量

电感器：基本原理电感器原理电感器是利用电磁感应原理工作的元件，由导线绕制成线圈构成。当电流通过线圈时，会在线圈周围产生磁场；当电流变化时，磁场也随之变化，从而在线圈中感应出感应电动势。电感特性电感器阻碍电流的变化：u=L(di/dt)在直流电路中，稳态时电感相当于短路在交流电路中，电感器的阻抗与频率成正比应用领域

半导体材料基础硅（Si）和锗（Ge）半导体材料主要是由第IV族元素如硅、锗构成。它们具有四个价电子，形成四面体晶格结构。在室温下，纯半导体表现出较低的导电性。P型与N型半导体掺杂是改变半导体性质的关键技术：N型：掺入五价元素（如磷P），提供自由电子P型：掺入三价元素（如硼B），产生空穴

PN结与二极管PN结形成与工作原理当P型半导体与N型半导体接触形成PN结时，扩散作用导致结区附近载流子重新分布，形成耗尽区和内建电场。正向偏置外加电压方向与内建电场相反，降低势垒高度，电流易于通过反向偏置外加电压方向与内建电场相同，增加势垒高度，阻碍电流通过伏安特性曲线

半导体二极管的应用整流利用二极管单向导电特性，将交流电转换为脉动直流电。常见电路有半波整流和全波整流。检波从调幅信号中提取出音频信号的过程，是无线电接收机的关键部分。限幅控制信号电压不超过某一预设值，用于保护电路免受过压损坏。保护

晶体三极管BJT结构基本结构晶体三极管（BJT）由两个PN结组成，分为三个区域：发射区（E）、基区（B）和集电区（C）。类型区分NPN型：两块N型半导体夹一块P型半导体PNP型：两块P型半导体夹一块N型半导体三种基本接法共发射极：输入阻抗中等，输出阻抗高，电压放大倍数大共基极：输入阻抗低，输出阻抗高，无电流放大作用共集电极：输入阻抗高，输出阻抗低，电压跟随特性

晶体管放大原理电流放大三极管的基本功能是电流放大，其放大倍数β（即hFE）表示集电极电流与基极电流之比：β=IC/IB通常β值在几十到几百之间，这是三极管放大能力的关键参数。直流特性输入特性：UBE与IB的关系曲线输出特性：UCE与IC的关系曲线（在不同IB值下）通过特性曲线可以分析三极管的工作状态。静态工作点确定三极管的静态工作点（Q点）是设计放大电路的第一步合理的Q点应位于特性曲线的线性区域，以保证信号不失真通过偏置电路来设置Q点，常见的有固定偏置、分压偏置等

晶体管共射放大电路电路结构包括分压偏置电阻