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;第四章扩散工艺
Chapter4Diffusion;本章主要内容;学习要求与重点和难点;关于掺杂(Doping);半导体制造常用杂质;具有掺杂区的CMOS结构;定义：将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，从而达到将杂质扩散到硅片内的目的。
方法：
按掺杂源的形态分类：
①固体源扩散：BN；开管扩散、箱法扩散、涂源法扩散；
②液态源扩散：POCl3
③气态源扩散：PH3，BH3
按扩散形式来分类：
①气相→固相扩散（三种源都可用）
②固相→固相扩散
③液相→固相扩散;扩散掺杂示意;4.1扩散机制Diffusionmechanism
;4.1.2替位式扩散
定义：杂质原子从一个晶格点替位位置运动到另一个替位位置。
前提--邻近替位格点有空位
势垒：与间隙式相反，势能极小在晶格位置，间隙处是势
能极大位置，必须越过一个势垒Ws。
跃迁几率：Pv=ν0exp[-(Wv+Ws)/kT]
Wv-形成空位所需的能量
杂质：半径与Si相近的原子
B、P、As、Sb等。;杂质在硅中的扩散机制;多选题1分;4.2扩散系数与扩散方程;4.2.2扩散系数
;D0、ΔE、T决定D：D=D0exp(-ΔE/kT)
①D与ΔE成反比
替位扩散：ΔE=Ws+Wv，能量高，慢扩散；
间隙扩散：ΔE=Wi，能量低，快扩散。
②D与T成正比
a.高温扩散：T=800-1000℃；
例如，室温下Si中替位杂质要等1045年才能跃迁一步。
b.精确控温：若ΔT=±1℃，则ΔD=5%--10%。;4.2Diffusioncoefficientanddiffusionequations;故--扩散方程;4.3扩散杂质的浓度分布;4.3.1恒定表面源扩散;4.3.1恒定表面源扩散;元素在Si中的固溶度;;;4.3.3两步扩散工艺;;;;多选题1分;4.4扩散工艺（了解）;;;扩散设备;;4.4.3扩散掺杂流程（了解）;;4.5横向扩散lateraldiffusion;4.6扩散的局限性(熟悉);多选题1分;本章小结Summary
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