微纳集成电路制造工艺教学课件第7章化学气相淀积工艺（2）.pptxVIP

微纳集成电路制造工艺Micro-nanoscaleIntegratedCircuitFabricationProcess西安电子科技大学集成电路学部微电子学院戴显英“集”“微”成著·用“芯”圆梦

第七章化学气相淀积Chapter7CVD-ChemicalVapourDeposition（二）西安电子科技大学微电子学院戴显英2024.04.15

上节重要知识点回顾薄膜(或衬底)CgCs主气流区边界层F1F2扩散运动反应Grove模型示意图2、边界层理论：流速受到扰动的气相层边界层厚度：δ：与基座长度、黏度、密度1、Grove模型决定淀积速率的两种过程：边界层中的扩散：F1薄膜或衬底表面的反应：F2慢者主导淀积速率3、CVD淀积速率GG的两个极限hgks，G=（CTksY)/N1，反应控制，温度对速率影响最大hgks，G=（CThgY)/N1，扩散控制，流速对速率影响最大影响淀积速率的因素-主气流Um主气流流速Um：扩散控制的G与Um1/2与成正比温度T：反应控制的G与T呈指数关系微纳集成电路工艺第七章化学气相淀积

（1）APCVD-常压化学气相淀积工艺原理：气相淀积在1个大气压及高温下进行控制机理：气相传输控制过程。技术特性：高温；均匀性差；台阶覆盖差；易发生气相反应，产生微粒污染。微纳集成电路工艺第七章化学气相淀积上节重要知识点回顾工艺原理：在27－270Pa低压下进行化学气相淀积。控制机理：表面反应控制过程技术特性：温度相对低、均匀性好、台阶覆盖好；（2）LPCVD-低压化学气相淀积(现代工艺常用）工艺原理：等离子体在低温（或室温）下发生化学气相淀积。（与溅射工艺原理相同）控制机理：表面反应控制过程(why?)技术特性：温度最低、较高、淀积速率、台阶覆盖好（3）PECVD（等离子体增强化学气相淀积）4、硅工艺的CVD技术

集成电路制造技术第七章化学气相淀积多选题1分4、对CVD技术表述正确的是（）。APCVD的淀积温度和淀积都是最高的PECVD的工艺温度最低，因而淀积速率最低LPCVD的淀积温度和速率都较低，因而不常用APCVD、LPCVD和PECVD都是现代工艺常用的技术ABCD提交单选题1分

MOCVD系统的示意图AIXTRON2400G3（HT）型MOCVD“行星式”反应室4.MOCVD：金属有机化学气相淀积应用：GaAs、GaN、AlN、InN等化合物半导体薄膜前驱体：金属有机物：三甲基镓、三甲基铝、三甲基铟N源：NH3、N2载气：H27.3CVD技术-CVDTechnology微纳集成电路工艺第七章化学气相淀积

薄膜生长技术及应用（了解）薄膜生长（设备）技术及应用薄膜在IC中的应用微纳集成电路工艺第七章化学气相淀积

02专项-极大规模集成电路制造技术及成套工艺（了解）重点进行45-22纳米关键制造装备攻关微纳集成电路工艺第七章化学气相淀积

世界顶级集成CVD设备供应商-AM公司（了解）Precision5000?：第一代系统1980年代中期成功推出的世界第一台单晶片、多反应室CVD设备Singlewafer,multi-chamberdesign6英寸和8英寸设备共用相同的主机架构RobotProcess

ChamberProcess

ChamberWafer

Cassettes微纳集成电路工艺第七章化学气相淀积

Endrua：第二代系统根据P-5000基本理念設計增加了dualloadlock以及阶梯式抽真空架构設計，可提供物理物理气相技术所需的超高真空(ultra-highvacuum)条件WaferCassetteLoadlocksIntegrated

Process

ChambersOrienter/DegasIntegrated

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ChambersOrienter/DegasCVD/PVD

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ChambersCVD/PVD

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ChambersEnduraPVD5500System世界顶级集成CVD设备供应商-AM公司微纳集成电路工艺第七章化学气相淀积

世界顶级集成CVD设备供应商-AM公司Centura?：第三代設計理念：应用Endura真空架构及创新的晶圓传输設計，結合P5000的弹性制程整合能力以大幅提高生產力。特性：更宽广的制程整合能力及更先进的制程技术工艺：CVD、PVD、EtchProcessChambersWaferCassetteLoadlocksCenterfind/

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CoolDownChamberCenturaCVDDxZ微纳集成