微纳集成电路制造工艺教学课件第8章外延工艺.pptxVIP

微纳集成电路制造工艺Micro-nanoscaleIntegratedCircuitFabricationProcess西安电子科技大学集成电路学部微电子学院戴显英“集”“微”成著·用“芯”圆梦

第八章外延Chapter8Photolithography西安电子科技大学微电子学院戴显英2023.04.10

集成电路制造技术本章主要内容第八章Epitaxy-外延外延的基本概念与基本术语硅气相外延的基本原理与生长模型影响外延生长速率的因素外延层的掺杂分布低压外延与选择性外延外延生长技术外延层图形漂移

微纳集成电路制造工艺本章学习要求与重点难点第八章Epitaxy-外延学习要求：熟悉外延的基本概念与术语熟悉硅气相外延的基本原理与外延生长模型熟悉外延层中的杂质分布与外延层质量表征熟悉并掌握影响外延生长速率的因素了解低压外延、选择外延、SOI、分子束外延重点：Si气相外延的基本原理、外延生长模型及影响外延生长速率的因素。难点：外延层中的杂质分布控制。

集成电路制造技术外延概述(Epitaxy)第八章Epitaxy-外延外延层界面衬底（外延）定义：在单晶衬底上，按衬底晶向生长一层新的单晶薄膜的工艺技术外延层：衬底上新生长的单晶层。外延片：生长了外延层的衬底片如Si外延片：第二代SiIC衬底为什么需要外延层：可以获得高质量的硅单晶：外延层缺陷少可实现均匀掺杂：原位掺杂多层外延层：可制备超晶格（半导体）结构：制备隧穿二极管可形成特定的器件结构层，如GaAsHEMT、LED等器件

集成电路制造技术外延层的应用第八章Epitaxy-外延1、双极集成电路轻掺杂（高阻）的外延层：较高的击穿电压；重掺杂（低阻）的衬底（埋层）：降低集电区的串联电阻。避免了闩锁效应：降低漏电流减小pnpn寄生闸流管效应避免了硅层中SiOX的淀积外延Si表面损伤小2、CMOS集成电路

集成电路制造技术外延的基本术语与概念第八章Epitaxy-外延同质外延：外延层与衬底的材料相同，如Si上外延Si，GaAs上外延GaAs；异质外延：外延层与衬底的材料不相同，如Si上外延SiGe或SiGe上外延Si；蓝宝石上外延Si--SOS(SilicononSapphire)；蓝宝石上外延GaN、SiC。思考题1：异质外延有什么困难和用途？

集成电路制造技术第八章Epitaxy-外延共度生长：同质外延，如Si外延层/Si衬底赝晶生长：异质应变外延，应变Si外延层/SiGe衬底非共度生长：异质弛豫外延，如弛豫SiGe外延层/Si衬底思考题2：对同一种外延薄膜，如Si外延层，其应变外延层与其弛豫外延层有什么不同的特性，应变会引起什么特性的改变？外延的基本术语与概念

集成电路制造技术第八章Epitaxy-外延多选题1分1、同质外延的衬底是任意材料2、异质外延的衬底是任意材料3、同质外延层是单晶4、异质外延层是非晶ABCD1、对外延表述正确的是（）。提交单选题1分

集成电路制造技术8.1硅气相外延的基本原理第八章Epitaxy-外延8.1.1硅源①SiCl4：早期传统硅源，需高温工艺，如APCVD稳定，不易气相反应，反应室干净，适于Si外延片②SiHCl3：TCS，第二代硅源，与SiCl4类似生长速度快，自掺杂少，生长温度比SiCl4低，易气相反应③SiH2Cl2：DCS，第三代硅源，更低工艺温度，如LPCVD生长速率低,适合于减压外延。④SiH4：现代硅源，低温工艺，如LPCVD、PECVD⑤Si2H6：新硅源，低温工艺

集成电路制造技术第八章Epitaxy-外延8.1.2外延生长模型生长步骤：与CVD淀积步骤相同①传输（扩散）：反应物从气相经边界层转移到Si表面；②吸附：反应物吸附在Si表面；③化学反应：在Si表面进行化学反应，得到Si及副产物；④脱吸：副产物脱离吸附；⑤逸出：脱吸的副产物从表面转移到气相，逸出反应室；⑥加接：生成的Si原子加接到晶格点阵上；8.1硅气相外延的基本原理

集成电路制造技术8.1.2外延生长模型第八章Epitaxy-外延SubstrateContinuousfilm8) By-productremoval1) MasstransportofreactantsBy-products2) Filmprecursorreactions3) Diffusionofgasmolecules4) Adsorptionofprecursors5) Precursordiffusionintosubstrate6) Surfacereactions7) DesorptionofbyproductsExha