微纳集成电路制造工艺教学课件第3章氧化工艺（1）.pptxVIP

;;第三章氧化工艺;主要内容;学习目标与重点和难点;第三章氧化工艺（一）;3.1氧化工艺的基本特性-线上学习;（热）氧化在集成电路制造中的重要作用（用途）;1、结构

无定形结构：密度＝2.15-2.25g/cm3

结构特点：由无规则排列的Si-O4四面体组成的三维网络结构，即短程有序，长程无序。;桥键氧：为两个Si原子共用，是多数；

非桥键氧：只与一个Si原子联结，是少数；

;2、主要性质

①密度：表征致密度，约2.15-2.25g/cm3。(与制备方法有关)

②折射率：550nm下约为1.46。(与制备方法有关)

③电阻率：与制备方法及杂质数量有关，如干氧在1016Ω·cm。

④介电强度：表征耐压能力，106—107V/cm。

⑤介电常数：表征电容性能，εSiO2=3.9。

⑥熔点：无固定熔点，1700℃。（与制备方法有关）

⑦腐蚀：只与HF强烈反应。

;3.3氧化工艺技术;1、干氧氧化工艺

工艺原理：900-1200℃高温下，硅晶圆表面与氧气（不含水分）反应

反应机理：Si+O2→SiO2

技术特点：

氧化速度慢：三种热氧化中最慢

氧化层致密：掩蔽能力强，常用于扩散的掩膜

均匀性和重复性好

不易浮胶：表面结构是非极性的硅-氧烷

应用：(MOSFET的)栅氧化层，超薄氧化层;;三种热氧化层质量对比;;第二章氧化

;3.4氧化生长动力学;氧化生长过程示意(点击下方图片观看动画);假定氧化是平衡过程--准静态近似，即

F1=F2=F3

设附面层中的流密度F1为线性近似，即

F1=hg(Cg-Cs)

hg-气相质量转移系数

Cg-气体内部氧化剂浓度

Cs-SiO2表面的氧化剂浓度;;;讨论1:两种极限时SiO2中氧化剂浓度分布;;;;;;第二章氧化

;;;本节课小结;