磷化铟基集成光子器件：工艺、挑战与前沿应用探索.docx

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2025-10-01 发布于上海
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磷化铟基集成光子器件：工艺、挑战与前沿应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，光通信、激光雷达等领域对高性能光子器件的需求日益增长。磷化铟（InP）基集成光子器件作为光电子领域的关键组成部分，凭借其独特的材料特性和优异的性能，在现代科技中占据着重要地位。

磷化铟是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有直接带隙、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度以及良好的光学和电学性能，使其在光电器件应用中表现出色。InP基集成光子器件能够将多种光功能单元（如激光器、调制器、探测器、波导等）集成在同一芯片上，实现了光信号的产生、调制、传输、探测和处理等功能的高度集成化。这