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MEMS压力传感器及其应用

MEMS压力传感器可以用类似集成电路(IC)设计技术和制造工，进行高精度、

低成本的大批量生产，从而为消费电子和工业过程控制产品用低廉的成本大量使用

MEMS传感器打开方便之门，使压力控制变得简单易用和智能化。传统的机械量压

力传感器是基十金属弹性体受力变形，由机械量弹性变形到电量转换输出，因此它

不可能如MEMS压力传感器那样做得像IC那么微小，成本也远远高于MEMS压力传

感器。相对于传统的机械量传感器，MEMS压力传感器的尺寸更小，最大的不超过

1cm,使性价比相对于传统“机械”制造技术大幅度提高。

一、压力传感器的发展历程

现代压力传感器以半导体传感器的发明为标志，而半导体传感器的发展可以分

为四个阶段：

(1)发明阶段(1945-1960年)：这个阶段主要是以1947年双极性晶体管的发

明为标志。此后，半导体材料的这一特性得到较广泛应用。史密斯(C.S.Smith)与

1945发现了硅与钻的压阻效应，即当有外力作用于半导体材料时，其电阻将明显

发生变化。依据此原理制成的压力传感器是把应变电阻片粘在金属薄膜上，即将力

信号转化为电信号进行测量。此阶段最小尺寸大约为Icnu(2)技术发展阶段

(I960-1970年)：随着硅扩散技术的发展，技术人员在硅的(001)或(110)晶面选

择合适的晶向直接把应变电阻扩散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成较薄的

硅弹性膜片，称为硅杯。这种形式的硅杯传感器具有体积小、重量轻、灵敏度高、

稳定性好、成本低、便于集成化的优点，实现了金属-硅共晶体，为商业化发展提

供了可能。

(3)商业化集成加工阶段(1970-1980年)：在硅杯扩散理论的基础上应用了硅

的各向异性的腐蚀技术，扩散硅传感器其加工工以硅的各项异性腐蚀技术为主，

发展成为可以自动控制硅膜厚度的硅各向异性加工技术，主要有V形槽法、浓硼

自动中止法、阳极氧化法自动中止法和微机制自动中止法。由于可以在多个表面

同时进行腐蚀，数千个硅压力膜可以同时生产，实现了集成化的工厂加工模式，成

本进一步降低。

(4)微机械加工阶段(1980年-)：上世纪末出现的纳米技术，使得微机械加工工

艺成为可能。通过微机械加工工艺可以由计算机制加工出结构型的压力传感器，

其线度可以制在微米级范围内。利用这一技术可以加工、蚀刻微米级的沟、条、

膜，使得压力传感器进入了微米阶段。

二、MEMS压力传感器原理

MEMS压力传感器按原理分，有电容型、压阻型，压电式，金属应变式，光纤式

等。重点介绍硅压阻式压力传感器和硅电容式压力传感器，两者都是在硅片上生成

的微机电传感器。

硅压阻式压力传感器是采用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电

变换测量电路的，具有较高的测量精度、较低的功耗，极低的成本。惠斯顿电桥的

压阻式传感器，如无压力变化，其输出为零，几乎不耗电。其电原理如图1所示。

硅压阻式压力传感器其应变片电桥的光刻版本如图2。

IB彩的应力较薄91

・斯幡电心电布某一林光利版本

K1惠即我电桥电原瑁12应交片电哧的光肥版本

MEMS硅压阻式压力传感器采用周边固定的圆形的应力杯硅薄膜内壁，采用

MEMS技术直接将四个高精密半导体应变片刻制在其表面应力最大处，组成惠斯顿

测量电桥，作为力电变段测量电路，将压力这个物理量直接变换成电量，其测量精

度能达0.01%〜0.03%FS。硅压阻式压力传感器结构如图3所示，上下二层是玻璃

体，中间是硅片，硅片中部做成一应力杯，其应力硅薄膜上部有一真空腔，使之成

为一个典型的绝压压力传感器。应力硅薄膜与真空腔接触这一面经光刻生成如图2

的电阻应变片电桥电路。当外面的压力经引压腔进