第四章半导体的导电性.pptVIP

一.平均自由时间?和散射概率Ｐ的关系晶体中的载流子频繁地被散射，每秒钟可达1012～1013次。令N(t)表示在t时刻它们中间尚未遭到散射的载流子数，则在t～t+dt间隔内受散射的电子数：t+dt时刻仍没受到散射的电子数为：当时间变化很小时第24页，共49页，星期日，2025年，2月5日t~t+dt间被散射的电子数为：的解为N0为t=0时未被散射的电子数这些电子自由运动了时间t，其总的自由运动时间为对时间积分，为N0个电子总的自由运动时间，除以N0得到平均匀自由时间τ第25页，共49页，星期日，2025年，2月5日平均自由时间数值等于散射概率的倒数。第26页，共49页，星期日，2025年，2月5日二.电导率、迁移率与平均自由时间的关系求得和的关系，就可以求、与的关系第27页，共49页，星期日，2025年，2月5日设在x方向施加电场，设电子有效质量各向同性，受到的电场力。在两次散射之间的加速度。电子平均漂移速度可得：同理：第28页，共49页，星期日，2025年，2月5日各类材料的电导率第29页，共49页，星期日，2025年，2月5日三.迁移率与杂质和温度的关系散射几率，平均自由时间和温度的关系：光学波散射电离杂质散射声学波散射第30页，共49页，星期日，2025年，2月5日因为任何情况下，几种散射机制都会同时存在第31页，共49页，星期日，2025年，2月5日对Si、Ge主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射对于GaAs，须考虑光学波散射第32页，共49页，星期日，2025年，2月5日结论：对低掺杂的样品PsPi，迁移率随温度增加而减低。①高掺杂样品（Ni1018/cm3）低温下（250℃以下），杂质散射起主要作用，随Ｔ高温下（250℃以上），晶格散射起主要作用，随Ｔ②随Ni的增加，均减小。第33页，共49页，星期日，2025年，2月5日电子迁移率空穴迁移率Ge在300K下的电子迁移率和空穴迁移率第34页，共49页，星期日，2025年，2月5日1、对于半导体材料，相同温度下，电子迁移率大于空穴迁移率2、迁移率与杂质浓度有关，当半导体参杂杂质时，电子迁移率与空穴迁移率的差别随着杂质浓度的增大而增大。迁移率与导电类型无关，P型半导体中的空穴（多子）与N型半导体中的空穴（少子）在其他条件相同的情况下迁移率趋于相同同理，N型半导体中的电子（多子）与P型半导体的电子（少子）在其他情况相同时，迁移率相同。第35页，共49页，星期日，2025年，2月5日第1页，共49页，星期日，2025年，2月5日§4.1载流子的漂移运动迁移率一.欧姆定律的微分表达式欧姆定律：电导率：电阻由材料特性决定：电阻率：第2页，共49页，星期日，2025年，2月5日一.欧姆定律的微分表达式金属：在面积为S，长为L的导体两端，加电压V，在导体内形成电场欧姆定律微分表达式载流子在电场的作用下，定向运动形成电流I，为描述I在导体中的分布情况，引入电流密度J，即:第3页，共49页，星期日，2025年，2月5日二.漂移速度和迁移率1、漂移运动：电子在电场作用下做定向运动称为漂移运动。2、漂移速度：定向运动的速度漂移电流漂移电流密度第4页，共49页，星期日，2025年，2月5日3、迁移率欧姆定律微分表达式漂移电流密度平均漂移速度的大小与电场强度成正比，其系数电子的迁移率，单位：cm2/V.s，单位电场作用下载流子获得的平均速度，反映了载流子在电场作用下输运能力。第5页，共49页，星期日，2025年，2月5日电导率与迁移率间的关系N型半导体P型半导体第6页，共49页，星期日，2025年，2月5日本征半导体对于一般半导体漂移电流为：电子漂移电流和空穴漂移电流的总和第7页，共49页，星期日，2025年，2月5日§4.2载流子的散射漂移运动在严格周期性的势场中运动的载流子在电场力的作用下将获得加速度，其漂移速度越来越大。第8页，共49页，星期日，2025年，2月5日而实际半导体中的载流子的运动情况：第9页，共49页，星期日，2025年，2月5日在实际晶体中存在破坏周期性势场得作用因素：第10页，共49页，星期日，2025年，2月5日一、载流子散射的概念:散射：载流子与其它粒子发生弹性或非弹性碰撞，碰撞后载流子的速度的大小和方向发生了改变。2.平均自由程和平均自由时间：在连续两次散射间自由运动的路程称为自