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第1页,共33页,星期日,2025年,2月5日第一节晶闸管基本结构工作原理伏安特性主要参数返回第2页,共33页,星期日,2025年,2月5日返回晶闸管又称可控硅(SCR)(SiliconControlledRectifier)是一种大功率半导体器件,它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。晶闸管具有体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大(正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏)等特点。第3页,共33页,星期日,2025年,2月5日返回螺旋式结构平板式结构第4页,共33页,星期日,2025年,2月5日返回一、基本结构P1P2N1N2四层半导体K(阴极)G(控制极)A(阳极)三个PN结AKG符号第5页,共33页,星期日,2025年,2月5日晶闸管不导通无论控制极G与阴极K之间是否加有电压,晶闸管均不能导通。返回二、工作原理P1P2N1N2N1P2AGK控制极G和阴极K之间不加正向电压阳极A和阴极K加反向电压反偏反偏阳极A和阴极K加正向电压正偏正偏反偏控制极G和阴极K之间加正向电压正向电压足够大时,三个PN结都正偏,晶闸管导通。KAGVT1VT2第6页,共33页,星期日,2025年,2月5日返回KAGVT1VT2RLUGUAIGβ2IGβ2IGβ1正反馈两个晶体管进入饱和导通状态。晶闸管导通后,UAK≈0.6~1.2V此时即使去掉控制极与阴极之间的电压,由于本身的正反馈作用晶闸管仍能维持导通。控制极电压UG的作用仅仅是触发晶闸管的导通第7页,共33页,星期日,2025年,2月5日晶闸管的导通条件为:①阳极和阴极间加正向电压。②控制极和阴极间加正向触发电压。③阳极电流不小于维持电流。①阳极A加反向电压,或不加触发信号。②晶闸管正向导通后,若令其关断,必须减小UA(或使UA反向),使晶闸管中电流小于维持电流。晶闸管的截止条件为:返回第8页,共33页,星期日,2025年,2月5日返回UAKIAIHINIG=0UBO导通URO三、伏安特性△UIG1IG2IG增加导通电压1V左右正向折转电压反向击穿电压O第9页,共33页,星期日,2025年,2月5日返回四、主要参数通态平均电流IF:允许通过晶闸管阳极的工频频率正弦波半波电流的平均值。维持电流IH:在控制极开路的情况下,晶闸管维持导通时的最小阳极电流。正向电流小于IH时,管子自动阻断。触发电压UG和触发电流IG:晶闸管从阻断到完全导通所需要的最小的控制极直流电压和电流。第10页,共33页,星期日,2025年,2月5日返回正向断态重复峰值电压UFRM:控制极开路的条件下,允许重复作用在晶闸管上的最大正向电压。一般情况下UFRM=UBQ×80%。反向重复峰值电压URRM:控制极开路的条件下,允许重复作用在晶闸管上的最大反向电压。一般情况下URRM=UBQ×80%。额定电压UD:取UFRM和URRM中较小的一个数值标为器件的额定电压。第11页,共33页,星期日,2025年,2月5日第二节单向桥式半控整流电路电阻性负载桥式可控整流电路电感性负载桥式可控整流电路返回第12页,共33页,星期日,2025年,2月5日返回一、电阻性负载桥式可控整流电路VH1VH2VD1VD2RLuou1.电路分析u正半周(0~π)a(+)b(-)电流方向负半周(π~2π)a(-)b(+)ab触发脉冲uG引入控制极VH1导通、VD2导通uo=uVH2导通、VD1导通+-uo=-u+-第13页,共33页,星期日,2025年,2月5日返回2.工作波形ωtuωtuGωtuoωtuVT1??OOOOπ2π3π第14页,共33页,星期日,2025年,2月5日返回3.参数计算整流输出电压平均值输出电流平均值二极管和晶闸管承受的最高反相电压为第15页,共33页,星期日,2025年,2月5日二、电感性负载桥式可控整流电路uVH1VH2VD1VD2VD3uoRLL加续流二极管VD3后电路工作情况以及负载上电压和电阻性负载类似。整流器件不导通时,由于电感储能,经续流二极管,负载上的电流仍
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