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器件全控型器件;§2.2门极可关断晶闸管GTO
(Gate-Turned-OffThyristor);2、工作原理
与普通晶闸管相同，可采用双晶体管模型分析。开关速度高于普通晶闸管，di/dt承受能力大于晶闸管。
3、电气符号
;二、工作特性
1、特点
1）门极可以控制开通，也可以控制关断；
----全控型流控型器件脉冲控制型
2）开通条件：正向阳极电压，正向门极电压；
关断条件：门极加负脉冲（不能通过门极电流为零关断）
3）开关速度及di/dt承受能力高于晶闸管
4）单向导电性。;3、动态特性
;2）关断过程：;3、最大可关断阳极电流IATO;1、结构;二、工作特性;3、动态特性;1）一次击穿;4）安全工作区;三、主要参数;§2.4电力MOSFET
(PowerMetalOxideSemiconductor
FieldEffectTransistor);2、工作原理
导通条件：漏源电压为正，栅源电压大于开启电压。即：uDS〉0，uGSuT.
关断条件：(漏源极电压为正)，栅源极电压小于开启电压。即uGSuT.;反映漏源电压与漏极电流之间的关系。
截止区，饱和区，非饱和区
;3)动态特性;三、主要参数;1、结构
;2、工作原理;2、静态特性;伏安特性：反映集电极电流Ic与集射极电压之间的关系。;IGBT开关过程图;4、IGBT的安全工作区
?正向偏置安全工作区（ForwardBiasedSafe
OperatingArea——FBSOA）
根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。
?反向偏置安全工作区（ReverseBiasedSafe
OperatingArea——RBSOA）
根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率dUCE/dt。;5、擎住效应;三、主要参数;电力电子器件的现状和发展趋势
20世纪90年代中期以来，逐渐形成了小功率（10kW以下）场合以电力MOSFET为主，中、大功率场合以IGBT为主的压倒性局面，在10MVA以上或者数千伏以上的应用场合，如果不需要自关断能力，那么晶闸管仍然是目前的首选器件。
电力MOSFET和IGBT中的技术创新仍然在继续，IGBT还在不断夺取传统上属于晶闸管的应用领域。
宽禁带半导体材料由于其各方面性能都优于硅材料，因而是很有前景的电力半导体材料。;谢谢大家！
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