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稀疏性和总变差约束下的多层线性解混用于

高光谱图像分析

GangYang

SouthwestChinaInstituteofElectronicTechnology

Chengdu,China

940186514@

摘要—高光谱解混的目标是估计材料特征（称为端元）及其后，基于DL的方法展示了竞争性的解混性能，但它们

对应的比例（称为丰度），这是各种高光谱图像应用中的一个关通常缺乏物理可解释性并且需要更多计算时间。

本键预处理步骤。本研究开发了一种名为稀疏性和总变差约束多层由于非负性和可解释性，非负矩阵分解（NMF）已

译线性解混(STVMLU)的新方法，用于高光谱图像。具体而言，成为统计技术领域的一种突出方法，尤其擅长将混合像

基于一个多层矩阵分解模型，为了提高解混的准确性，引入了总

中变差约束来考虑相邻空间相似性。此外，采用-范数稀疏约素分解为不同的端元及