模电双极型晶体管.pptVIP

模电课件模电课件模电课件模电课件模电课件双极型晶体管*模电课件第1页，共18页，星期日，2025年，2月5日一、晶体管的结构及类型晶体三极管又称双极型晶体管、半导体三极管、三极管等。发射区集电区基区三极管的结构特点:（1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。（2）基区要制造得很薄且浓度很低。半导体三极管由两个PN结构成。类型:NPN型和PNP型。c集电极e发射极b基极NNPNPN型晶体管结构集电结(Jc)发射结(Je)集电极第2页，共18页，星期日，2025年，2月5日PPNPNP型晶体管结构ecbNNPNPN型晶体管结构ecbNPN型晶体管符号PNP型晶体管符号第3页，共18页，星期日，2025年，2月5日二、电流分配与放大原理1、内部载流子的运动规律以NPN管共射放大电路为例ICIBRBEBECRCVVμAmA+UCE－+UBE－三极管基本放大电路EcEB放大状态：发射结正偏，集电结反偏。第4页，共18页，星期日，2025年，2月5日（1）发射区向基区扩散自由电子EBRBRCEC发射结正偏，多数载流子（自由电子）的扩散运动加强；发射区自由电子不断扩散到基区形成电流IEN；IEPIEIEN基区空穴扩散到发射区形成电流IEP；发射极电流：IE＝IEP+IEN；发射结(Je)第5页，共18页，星期日，2025年，2月5日EBRBRCECIEPIEIEN（2）自由电子在基区扩散和复合发射结自由电子浓度很高，继续向集电结方向扩散；IBN扩散到基区的自由电子，一部分被电源EB拉走，形成电流IBN；第6页，共18页，星期日，2025年，2月5日集电结EBRBRCECIEPIEIENIBN（3）集电区收集从发射区扩散过来的自由电子发射区扩散到基区并到集电结边缘的自由电子继续运动到集电区，形成电流ICN；集电结反偏，内电场被加强，漂移运动加强，少数载流子的运动形成电流ICBO，是构成IB与IC的一小部分。ICNICICBOIB第7页，共18页，星期日，2025年，2月5日EBRBRCECIEPIEIENIBNICNICICBOIB2、电流分配关系第8页，共18页，星期日，2025年，2月5日～+－uiEB+－uIRBRCEC3、晶体管的共射电流放大系数静态（直流）：当ui为零时，uI=EB；动态（交流）：（1）令ui＝0，即静态定义共射直流电流放大系数：ICEO：穿透电流。～+－uiEB+－uIRBRCECICIB第9页，共18页，星期日，2025年，2月5日～+－uiEB+－uIRBRCEC（2）令ui≠0，即动态定义共射交流电流放大系数：?iC?iB～+－uiEB+－uIRBRCEC第10页，共18页，星期日，2025年，2月5日*模电课件～+－uiEe+－uIReRCECiBiCiE4、共基电流放大系数定义共基直流电流放大系数：定义共基交流电流放大系数：第11页，共18页，星期日，2025年，2月5日三、晶体管的共射特性曲线1、输入特性曲线测量电路ICIBRBEBECRCVVμAmA+UCE－+UBE－第12页，共18页，星期日，2025年，2月5日（2）UCE增大，曲线右移；UCE越大，从发射区扩散到基区的自由电子被VB拉走的数量越少，故要获得同样的iB，就需加大uBE；（3）当UCE≥1V时，输入特性曲线重合；（1）UCE＝0时，相当于两个PN结并联。曲线与PN结伏安特性相似；第13页，共18页，星期日，2025年，2月5日模电课件模电课件模电课件模电课件