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基础工艺和版图设计测试试卷

（考试时间：60分钟，总分100分）

得分

题型填空题选择题简单题分析题

分值30451510

第一部分、填空题（共30分。每空2分）

1、在unix操作系统中，使用chmod命令时，对某个目录下的所有子目录的进行修改的参数是-R。

2、在IC设计中经常用到的UNIX操作系统，其常用的Vi文本编辑器并保存的操作为:wq。

3、NMOS是利用电子来传输电信号的金属；PMOS是利用空穴来传输电信号的金属。

4、即“IC”，俗称，按功能不同可分为数字和模拟，按导电类型不同可分为

双极型和单极型，前者频率特性好，但功耗较大，而且制作工艺复杂，不利于大规模集

成；后者工作速度低，但是输入阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成。

5、金属(metal)—氧化物(oxid)—(semiconductor)场效应晶体管即MOS管，是一个四端有源器件，其四端分别是栅

极、源极、漏极、背栅。

6、设计分为全定制设计方法和半定制设计方法，其中全定制设计方法又分为基于门阵列和单元

的设计方法，利用率最低的是基于门阵列的设计方法。

第二部分、选择题（共45分。每题3分，多选，错选分，少选得1分）

1、在CMOS中，以下属于常用电容类型的有（ABCD）

A、MOS电容B、双层多晶硅电容C、金属多晶硅电容D、金属—金属电容

2、在CMOS中，以下属于常用电阻类型的有（ABCD）

A、源漏扩散电阻B、阱扩散电阻C、沟道电阻D、多晶硅电阻

3、以下属于无源器件的是（CD）

A、MOS晶体管B、BJT晶体管C、POLY电阻D、MIM电容

4、与成本相关的是（ABC）

A、晶圆上功能完好的数B、晶圆成本C、的成品率D、以上都不是

5、通孔的作用是（AB）

A、连接相邻的不同金属层B、使跳线成为可能C、连接第一层金属和有源区D、连接第一层金属和衬底

6、IC版图的可靠性设计主要体现在（ABC）等方面，避免器件出现性失效而影响良率。

A、天线效应B、闩锁（Latchup）C、ESD(静电泄放)保护D、工艺角（processcorner）分析

7、减小晶体管尺寸可以有效提高数字的性能，其是（AB）

A、寄生电容减小，增加开关速度B、门延时和功耗乘积减小C、高阶效应减少D、门翻转电流减小

Testpaperforbasicprocessandlayoutdesignof

integratedcircuits