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喷雾热解法制备氟掺杂二氧化锡导电薄膜：工艺、性能与应用探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的时代，光电领域作为科技创新的前沿阵地，对于新型功能材料的需求愈发迫切。氟掺杂二氧化锡（Fluorine-dopedTinOxide，FTO）导电薄膜凭借其卓越的光电性能，在众多光电应用中占据了举足轻重的地位。

FTO导电薄膜属于宽禁带、重掺杂半导体材料，以二氧化锡（SnO_2）为基体，通过氟元素的掺杂来优化其电学性能。在晶体结构中，氟原子替代部分晶格中的氧原子，释放出额外的电子，这些电子成为导电的自由载流子，从而显著降低了薄膜的电阻率，赋予了薄膜良好的导电能力。与此同时，F