基于数值模拟剖析CVD法制备SiC一维纳米材料的影响因素.docx

基于数值模拟剖析CVD法制备SiC一维纳米材料的影响因素

一、引言

1.1研究背景与意义

随着纳米技术的飞速发展，一维纳米材料因其独特的物理化学性质和广泛的应用前景，成为材料科学领域的研究热点。碳化硅（SiC）作为一种宽带隙半导体材料，具有高硬度、高强度、高导热性、低热膨胀系数以及优异的化学稳定性和电学性能，在机械工程、电子、化工、能源、航空航天、环境保护等众多领域展现出巨大的应用潜力。

SiC一维纳米材料，如纳米线、纳米管等，不仅继承了SiC块体材料的优良特性，还由于其纳米级的尺寸效应，呈现出许多独特的性能。在力学性能方面，SiC一维纳米材料的弹性和强度比其块体材料显著提高，可