基于碳纳米管工艺的存储器与存内计算电路设计.pdfVIP

摘要

摘要

目前，大数据和人工智能的发展对芯片的算力要求越来越高，冯·诺依曼体

系固有的“存储墙”和“功耗墙”问题越发突出，硅基芯片制程进步带来的性能

提升也接近极限，为了推动电子信息产业继续进步，需要从架构和材料两方面开

展研究，存内计算架构和基于碳纳米管的芯片工艺便是这两方面的实例。因此，

本文设计了一种基于碳纳米管工艺的非易失性存储器，随后在此基础上设计了一

种碳基存内计算电路芯片，并制定了碳基芯片的测试方案。

本文根据器件测试芯片设计仿真验证封装测试的路线进行了碳基非易失性---

存储器和碳基存内计算电路的研究，主要完成了以下工作：

（1）测试分析了碳基浮栅场效应管的器件特性并据此进行了浮栅阵列设计。

使用探针台测试了3μm碳基工艺中浮栅场效应管的擦写和读取特性，确定了可成

功完成擦写和读取的电压，并根据测试数据设计了一种可应用于非易失性存储器

和存内计算电路的碳基存储阵列。

2

（）设计了一种碳基非易失性存储器。基于碳基浮栅存储阵列完成了一种

规模为32×16的EEPROM型碳基非易失性存储器原理图设计并通过了仿真验证，

可以实现64个字节的数据存储和每次2个字节的并行读取，具有擦写电压可调和

读取精度高的特点，随后完成了存储器的版图设计与校验。

（3）设计了一种用于二值化向量-矩阵乘法的碳基存内计算电路芯片。结合

碳基存储器的设计经验完成了一种规模为32×32的碳基存内计算电路的原理图设

3232×8

计并通过了仿真验证，可以实现维二值化向量与矩阵的存内乘法操作，

具有高速和高精度的特点，随后完成了存内计算电路的版图设计与校验。

（4）完成了碳基芯片的测试方案制定。确定碳基存储器和存内计算芯片的

封装类型后，根据芯片特性和测试需求制定了一套由单片机控制的板级测试方案，

具有电源管理、模拟电压调节、电气防护的功能。

本文的创新性主要在以下方面：使用异于传统硅基工艺的碳纳米管芯片工艺

完成了中等规模的存储器设计；将碳基芯片工艺与存内计算技术结合，设计出了

可用于神经网络的碳基存内计算电路芯片，为突破“存储墙”和“功耗墙”提供

了一种参考实施方案。

关键词：碳纳米管，非易失性存储器，存内计算

I

ABSTRACT

ABSTRACT

AsincreasinglygreatercomputingpowerisrequiredbyrecentprogressofAIand

bigdata,theintrinsicproblemof“memorywall”and“powerwall”inVonNeumann

Architecturehasbecomeprominent,andtheperformancegainsbroughtbythe

improvementofthesilicon-basedchipprocessarealsoapproachingthelimits.For

furtherprogressinelectronicinformationindustry,researchesshouldbeconductedin

architectureandmaterial.Computationinmemory(CIM)andchiptechnologybasedon

carbonnanotube(CNT)aretwocorrespondinginstances.Therefore,atypeof

CNT-basednon-volatilememoryisdesignedinthisthesis,basedonwhichatypeof

CNT-basedin-memorycomputingchip