半导体设备行业深度报告：新工艺新结构拓宽空间，国产厂商多维发展突破海外垄断-250927-方正证券.pdfVIP

证券研究报告|半导体设备|2025年09月27日

科技电子团队•行业深度报告

新工艺新结构拓宽空间，国产厂商多维发展突破海外垄断

分析师马天翼登记编号：S1220525040003

王海维登记编号：S1220525040004

联系人吴家欢

报告摘要

•美国升级出口限制凸显国产化重要性，国产厂商多维发展突破海外垄断。2024年12月，美国BIS修订了《出口管理条例》，对高深宽比结构、

新金属材料等尖端应用所需的薄膜沉积设备实施新的管控。根据SEMI和中国电子专用设备工业协会数据，2023年国内薄膜沉积设备市场规模约

479亿元，国产化率低于25%。目前国内薄膜沉积设备厂商主要包括北方华创、拓荆科技、微导纳米、中微公司、盛美上海和晶盛机电等，各厂

商发展侧重点不同，共同助力薄膜沉积设备国产化崛起。

•新工艺新结构拓宽薄膜沉积设备空间，ALD在先进节点及3D结构中应用广泛。薄膜沉积可分为PVD、CVD和ALD三大类。PVD主要用于金属材料的

沉积。CVD主要用于硬掩模等消耗膜层以及介质材料的制备。ALD可大体分为T-ALD和PEALD；其中T-ALD主要沉积金属和High-K材料等膜层，

PEALD则主要沉积介质薄膜，多用于多重曝光和STI工艺。

•逻辑：1）随着制程不断微缩，多重曝光技术开始应用，其中需要ALD进行多次的侧墙沉积。2）28nm及以下节点采用的HKMG工艺将采用ALD

沉积栅介质层和金属栅极。3）GAA是3nm以下节点的首选结构，除HKMG仍将采用ALD技术沉积外，内侧墙的制备也需通过ALD进行Low-K材料填充

后再进行回刻形成；此外，GAA需通过外延技术生长出Si-SiGe的超晶格结构以及源极和漏极。

•NAND：3DNAND层数正不断提高，或将于2030年突破千层。1）ONO叠层需要PECVD进行的超高均匀度制备。2）ALD可满足沟道硅、隧道氧

化物、字线钨等高深宽比结构中材料的均匀填充。

•DRAM：1）随着DRAM制程进入2x-nm及以下节点，AA、SNC等结构将采用多重曝光技术进行制备，需ALD进行侧墙沉积。2）单个电容器尺寸

正不断缩小，器件内部沟槽以及深孔的深宽比也越来越大，需采用ALD进行此类结构的填充，如SN孔中High-K电介质叠层沉积。3）未来3D

DRAM结构有望出现，高深宽比结构将大幅增多，显著刺激ALD设备的需求。

•建议关注标的：北方华创（PVD实现对逻辑/存储芯片金属化制程全覆盖；CVD实现金属硅化物、金属栅极、钨塞沉积、High-KALD等工艺设备

的全覆盖）；中微公司（正在开发近40种导体薄膜LPCVD/ALD/PVD薄膜沉积设备，已有六款薄膜沉积产品推向市场）；拓荆科技（PECVD实现全

介质薄膜覆盖，同时布局ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD以及混合键合设备）；微导纳米（ALD技术为核心，CVD等多种真空薄

膜技术梯次发展）；盛美上海（布局立式炉管设备和PECVD设备）；晶盛机电（8-12英寸减压外延设备、ALD设备）。

•风险提示：宏观经济和行业波动风险，下游客户资本性支出波动较大及行业周期性特点带来的经营风险，下游客户扩产不及预期的风险，市场

竞争加剧风险，研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险，研发方向存在偏差的风险等。

2

目录

1.新工艺新结构拓宽空间，国产厂商多维发展突破海外垄断

2.CVD：种类繁多，PECVD占比最高

3.ALD：高台阶覆盖率+膜厚控制精准，先进节点及3D结构应用广泛

4.PVD：溅射为主，多用于沉积金属薄膜

5.建议关注标的

6.风险提示

3

分目录

1.新工艺新结构拓宽空间，国产厂商多维发展突破海外垄断

2.CVD：种类繁多，PECVD占比最高

3.ALD：高台阶覆盖率+膜厚控制精准，先进节点及3D结构应用广泛

4.PVD：溅射为主，多用于沉积金属薄膜

5.建议关注标的

6.风险提示