第一章金属固态相变基础.pptVIP

固态相变均匀形核率：固态原子的扩散激活能Q较大，固态相变的弹性应变能又进一步增大形核功W。所以，与液态结晶相比，固态相变的均匀形核率要低得多。同时，固态材料中存在的大量晶体缺陷可提供能量，促进形核。因此，非均匀形核便成为固态相变的主要形核方式。第60页，共127页，星期日，2025年，2月5日1.3金属固态相变的形核二、非均匀形核①晶界形核②位错形核③空位形核缺陷提供的相变驱动力固态相变中均匀形核几乎不可能，大多为非均匀形核。第61页，共127页，星期日，2025年，2月5日1.晶界形核晶界类型：界面、界棱、界隅晶界形核时的能量变化提供的能量：需要的形核功：结论：界隅形核的最容易但界隅占的体积分数太小，而数量最多的界面对形核的贡献最大。。二、非均匀形核Ⅳ界面界棱界隅界隅界棱界面均匀形核第62页，共127页，星期日，2025年，2月5日2.位错形核位错促进形核。位错线上形核，位错线消失释放能量，降低形核功。位错线不消失，成为半共格界面中的位错部分，降低形核功。溶质原子在位错上偏聚，满足新相形核的成分起伏。扩散的短路通道，↘Q，加速形核。二、非均匀形核第63页，共127页，星期日，2025年，2月5日3.空位及空位集团形核空位及空位集团促进形核。释放能量提供成核驱动力凝聚成位错加速扩散过程（空位机制）二、非均匀形核第64页，共127页，星期日，2025年，2月5日对于其它类型的缺陷，形核势垒也会降低，但降低的程度各异，需要详细的分析。如果将各种可能的形核位置按照形核从难到易的程度排序，大体如下：均匀形核空位形核位错形核（刃位错比螺位错容易）堆垛层错晶界形核（晶面、晶边、晶隅由难到易）相界形核（与相界面能和相界成分关系很大）自由表面第65页，共127页，星期日，2025年，2月5日1.4金属固态相变的晶核长大新相晶核的长大，实质是界面向母相方向的迁移。成分变化结构变化——扩散（传质过程）——界面过程γαα/γ——界面附近原子调整位置，使晶核得以长大的过程。（需考虑界面结构的影响）机制速率第66页，共127页，星期日，2025年，2月5日1、（半）共格界面的迁移(1)均匀切变（协同型长大）特点：大量的原子有规律地沿某一方向作小于一个原子间距的迁移，迁移后原子保持原有的相邻关系不变。是无扩散型相变。右下图为马氏体转变的表面倾动。一、长大机制第67页，共127页，星期日，2025年，2月5日（2）台阶机制

（相界面上位错的滑动）特点：通过半共格界面上的界面位错的运动，使界面作法线方向迁移，从而实现晶核的长大。1、（半）共格界面的迁移一、长大机制第68页，共127页，星期日，2025年，2月5日一、长大机制2、非共格界面的迁移：（非协同型）通过界面扩散进行紊乱排列台阶状结构特点：原子无规律地迁移，迁移的距离不等，相邻关系改变。母相新相第69页，共127页，星期日，2025年，2月5日晶核长大的控制因素根据界面类型，金属中的固态相变长大机制可分为协同型转变（成分不变）非协同型转变其中①成分不变，原子在界面处做短程扩散，长大速度主要受控于界面过程；②成分改变，需要长程扩散（传质过程），长大速度取决于扩散过程。二、长大速度（非协同型）①成分不变②成分改变无扩散，受控于界面过程，转变速度极快（界面控制）（扩散控制）第70页，共127页，星期日，2025年，2月5日二、长大速度1、无成分变化时（受界面控制）GΔgγαGγ→αλ过冷度很小时，两相自由能差极小。界面迁移速率与两相的自由能差成正比，随温度降低，两相的自由能差增大，新相长大速率增加；第71页，共127页，星期日，2025年，2月5日二、长大速度1、无成分变化时：GΔgγαGγ→α过冷度很大时λ取决于△g，随温度降低，界面迁移速率减小，新相长大速率随之下降。第72页，共127页，星期日，2025年，2月5日二、长大速度1、无成分变化时：GΔgγαGγ→αλ结论：在整个相变范围内，新相长大速度随温度降低，先增后减。第73页，共127页，星期日，2025年，2月5日二、长大速度2、有成分变化时