第六章化学气相淀积.pptVIP

6.3CVD多晶硅6.3.1多晶硅薄膜的特性1.结构特性①由无数生长方向各不相同的小晶粒(100nm量级）组成；主要生长方向（优选方向）－－110。②晶粒间界具有高密度缺陷和悬挂键。2.物理特性：扩散系数明显高于单晶硅；3.电学特性①电阻率远高于单晶硅；②晶粒尺寸大的薄膜电阻率小。第29页，共46页，星期日，2025年，2月5日6.2.4CVD技术6.3.2CVD多晶硅工艺：LPCVD热分解（通常主要采用）；气体源：气态SiH4；淀积过程：①吸附：SiH4（g)→SiH4（吸附)②热分解：SiH4（吸附)=SiH2（吸附)+H2(g)SiH2（吸附)=Si（吸附)+H2（g)③淀积：Si（吸附)=Si（固)④脱吸、逸出：SiH2、H2脱离表面，逸出反应室。总反应式：SiH4（吸附)=Si（固体)+2H2(g)第30页，共46页，星期日，2025年，2月5日6.3CVD多晶硅特点：①与Si及SiO2的接触性能更好；②台阶覆盖性好。缺点：SiH4易气相分解。用途：欧姆接触、栅极、互连线等材料。多晶硅掺杂①扩散：电阻率低；温度高；②离子注入:电阻率是扩散的10倍；③原位掺杂：淀积过程复杂；多晶硅淀积之后进行(实际中采用该方法)第31页，共46页，星期日，2025年，2月5日6.4CVD二氧化硅第32页，共46页，星期日，2025年，2月5日6.4CVD二氧化硅6.4.1CVDSiO2的方法1.低温CVD①气态硅烷源硅烷和氧气：APCVD、LPCVD、PECVD淀积机理:SiH4+O2~400℃SiO2（固）+H2硅烷和N2O（NO）：PECVD淀积机理:SiH4+N2O200-400℃SiO2+N2+H2O原位掺P：形成PSG淀积机理:PH3(g)+5O2=2P2O5(固)+6H2优点：温度低；反应机理简单。缺点：台阶覆盖差。第33页，共46页，星期日，2025年，2月5日6.4CVD二氧化硅②液态TEOS源：PECVD淀积机理：Si(OC2H5)4+O2250-425℃SiO2+H2O+CXHY优点：安全、方便；厚度均匀；台阶覆盖好。缺点：SiO2膜质量较热生长法差；SiO2膜含C、有机原子团。2.中温LPCVDSiO2温度：680-730℃化学反应：Si(OC2H5)4→SiO2+2H2O+4C2H4优点：较好的保形覆盖；缺点：只能在Al层淀积之前进行。第34页，共46页，星期日，2025年，2月5日第1页，共46页，星期日，2025年，2月5日概述化学气相淀积：CVD——ChemicalVapourDeposition。定义：一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。例如：热分解SiH4，SiH4=Si（多晶)+2H2(g)，SiH4+O2=SiO2（薄膜）+2H2CVD薄膜：SiO2、Si3N4、PSG、BSG（绝缘介质）、多晶硅、金属（互连线/接触孔/电极）、单晶硅（外延）CVD系统：常压CVD（APCVD）低压CVD（LPCVD）等离子CVD（PECVD）第2页，共46页，星期日，2025年，2月5日概述CVD工艺的特点1、CVD工艺的温度低，可减轻硅片的热形变，抑制缺陷的生成，减轻杂质的再分布，适于制造浅结器件及VLSI；2、薄膜的成分精确可控、配比范围大，重复性好；3、淀积速率一般高于物理淀积，厚度范围大；4、膜的结构完整致密，与衬底粘附好，台阶覆盖性好。第3页，共46页，星期日，2025年，2月5