器件制备基础.pptVIP

下载本文档

0
0
约小于1千字
约 13页
2025-10-11 发布于广东
举报
版权申诉

器件制备基础.ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第1页，共13页，星期日，2025年，2月5日4.1制备过程

1、清洗2、氧化3、扩散或离子注入4、光刻5、薄膜沉积第2页，共13页，星期日，2025年，2月5日1、清洗

常用硅片清洗液Ⅰ号液：配方：NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5-1:2:7使用条件：80?5?C，煮10分钟作用：去油脂，去光刻胶残膜，去金属离子和金属原子Ⅱ号液：配方：HCl:H2O2:H2O=1:1:6-1:2:8使用条件：80?5?C，煮10分钟作用：去金属离子和金属原子Ⅲ号液：配方：H2SO4：H2O2=3：1使用条件：120?10?C，煮15分钟作用：去油脂，去腊，去金属离子和金属原子第3页，共13页，星期日，2025年，2月5日2、氧化干氧：Si+O2=SiO2膜层致密，理想的Si-SiO2界面，生长速度慢湿氧：Si+2H2O=SiO2+2H2生长速度快，膜层致密性较差第4页，共13页，星期日，2025年，2月5日2、氧化氧化系统的简单说明图第5页，共13页，星期日，2025年，2月5日2、氧化（100）面和（111）面SiO2的氧化生长曲线第6页，共13页，星期日，2025年，2月5日3、扩散基本工艺流程第7页，共13页，星期日，2025年，2月5日3、扩散4.5磷的液态源扩散示意图第8页，共13页，星期日，2025年，2月5日3、扩散扩散温度900-1200?C。P源：POCl3,B源：BN，BO3一般分为预扩散和再扩散预扩散后：再扩散后第9页，共13页，星期日，2025年，2月5日4、光刻（1）涂胶（2）坚膜（3）掩膜板（4）瀑光（5）显影负光刻胶：光照后发生聚合反应，难以去除正光刻胶：光照后，感光剂发生分解，容易去除。第10页，共13页，星期日，2025年，2月5日