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吉林2025自考[大功率半导体科学]半导体制造技术易错题专练

一、单选题（每题2分，共20题）

1.在半导体制造过程中，以下哪种材料通常用于制作光刻胶的成膜剂？

A.聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）

B.聚酰亚胺（PI）

C.聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）

D.聚氯乙烯（PVC）

2.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）过程中，常用的氮化硅（Si?N?）沉积气体不包括以下哪种？

A.氮气（N?）

B.硅烷（SiH?）

C.氢气（H?）

D.氨气（NH?）

3.半导体晶圆表面缺陷的检测通常采用哪种方法？

A.电子显微镜（SEM）

B.光学显微镜（OM）

C.超声波检测（UT）

D.X射线衍射（XRD）

4.在干法刻蚀中，常用的氟化氢（HF）溶液主要刻蚀哪种材料？

A.硅（Si）

B.氮化硅（Si?N?）

C.氧化铝（Al?O?）

D.硼硅酸玻璃（BSG）

5.半导体器件的退火工艺主要目的是什么？

A.增加晶圆厚度

B.减少表面粗糙度

C.改善晶体缺陷

D.提高表面导电性

6.在原子层沉积（ALD）中，常用的前驱体气体不包括以下哪种？

A.甲硅烷（SiH?）

B.氢化三乙氧基硅烷（TEOS）

C.氨基硅烷（Si(NH?)?H?）

D.氟化甲烷（CH?F）

7.半导体制造中，以下哪种设备主要用于晶圆的平坦化处理？

A.等离子体刻蚀机

B.化学机械抛光（CMP）机

C.离子注入机

D.光刻机

8.在薄膜沉积过程中，以下哪种工艺属于低温工艺？

A.分子束外延（MBE）

B.低压力化学气相沉积（LPCVD）

C.高温等离子体增强化学气相沉积（HPECVD）

D.等离子体体射（PVD）

9.半导体器件的离子注入工艺中，常用的加速电压范围是多少？

A.1-10kV

B.10-100kV

C.100-1000kV

D.1000-10000kV

10.在光刻工艺中，常用的光源波长是多少？

A.365nm（i-line）

B.436nm（g-line）

C.248nm（i-line）

D.193nm（ArF）

二、多选题（每题3分，共10题）

1.半导体制造中，常用的清洗方法包括哪些？

A.超声波清洗

B.热氧化清洗

C.等离子体清洗

D.化学清洗

2.等离子体刻蚀工艺中，常用的气体包括哪些？

A.氟化氢（HF）

B.氮氧化物（NOx）

C.三氯甲烷（CHCl?）

D.硅烷（SiH?）

3.半导体器件的退火工艺中，常用的退火类型包括哪些？

A.快速热退火（RTA）

B.慢速热退火（LTA）

C.氮氧退火（NO退火）

D.等离子体退火（PA）

4.在薄膜沉积过程中，以下哪些因素会影响薄膜的均匀性？

A.前驱体流量

B.温度控制

C.气体压力

D.晶圆旋转速度

5.半导体制造中，常用的缺陷检测方法包括哪些？

A.电子显微镜（SEM）

B.光学显微镜（OM）

C.原子力显微镜（AFM）

D.超声波检测（UT）

6.在原子层沉积（ALD）中，常用的前驱体气体包括哪些？

A.甲硅烷（SiH?）

B.氢化三乙氧基硅烷（TEOS）

C.氨基硅烷（Si(NH?)?H?）

D.氟化甲烷（CH?F）

7.半导体器件的离子注入工艺中，常用的注入参数包括哪些？

A.注入能量

B.注入剂量

C.注入温度

D.注入角度

8.在光刻工艺中，常用的光源类型包括哪些？

A.紫外线（UV）光源

B.深紫外（DUV）光源

C.极紫外（EUV）光源

D.红外（IR）光源

9.半导体制造中，常用的平坦化方法包括哪些？

A.化学机械抛光（CMP）

B.等离子体平坦化（PLP）

C.化学抛光（CP）

D.热平坦化（TP）

10.在薄膜沉积过程中，以下哪些因素会影响薄膜的致密性？

A.前驱体分解率

B.气体压力

C.温度控制

D.晶圆旋转速度

三、判断题（每题2分，共10题）

1.化学机械抛光（CMP）主要用于晶圆的平坦化处理。（正确）

2.等离子体刻蚀过程中，刻蚀速率主要受气体种类影响。（错误）

3.半导体器件的离子注入工艺中，注入能量越高，注入深度越深。（正确）

4.光刻工艺中，常用的光源波长越短，分辨率越高。（正确）

5.原子层沉积（ALD）工艺的沉积速率主要受前驱体流量影响。（错误）

6.半导体制造中，常用的清洗方法包括超声波清洗和等离子体清洗。（正确）

7.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺的沉积温度通常较高。（错误）

8.化学机械抛光（CMP）过程中，抛光液的主要作用是去除材料。（正确）

9.半导体器