第一章常用半导体器件及其特征.pptVIP

1.5.3晶体三极管的主要参数一、电流放大系数1.共发射极电流放大系数iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321—直流电流放大系数?—交流电流放大系数一般为几十?几百Q第60页，共124页，星期日，2025年，2月5日iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O246843212.共基极电流放大系数??1一般在0.98以上。Q二、极间反向饱和电流CB极间反向饱和电流ICBO，CE极间反向饱和电流ICEO。第61页，共124页，星期日，2025年，2月5日2.集-基极反向饱和电流ICBO?AICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。第62页，共124页，星期日，2025年，2月5日BECNNPICBOICEO=?ICB0+ICBOIBE?ICBOICBO进入N区，。根据放大关系，由于ICB0的存在，必有电流?ICBO。集电结反偏有ICBO3.集-射极反向饱和电流ICEOICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。第63页，共124页，星期日，2025年，2月5日三、极限参数1.ICM—集电极最大允许电流。iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作区集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。第64页，共124页，星期日，2025年，2月5日必定导致结温上升，所以PC有限制。PC?PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区2.PCM—集电极最大允许功率损耗PC=iC?uCE。第65页，共124页，星期日，2025年，2月5日U(BR)CBO—发射极开路时C、B极间反向击穿电压。3.U(BR)CEO—基极开路时C、E极间反向击穿电压。U(BR)EBO—集电极极开路时E、B极间反向击穿电压。U(BR)CBOU(BR)CEOU(BR)EBO(P342.1.7)已知:ICM=20mA,PCM=100mW，U(BR)CEO=20V，当UCE=10V时，ICmA当UCE=1V，则ICmA当IC=2mA，则UCEV102020第66页，共124页，星期日，2025年，2月5日1.6场效应管引言1.6.1结型场效应管1.6.3场效应管的主要参数1.6.2MOS场效应管第67页，共124页，星期日，2025年，2月5日课题：第三节场效应管（2学时）目的要求：1、掌握场效应管工作原理2、了解场效应管的工作特性和主要参数重点、难点和突破方法：场效应管的特性和主要参数复习提问：复习三极管的基本知识作业：见课件。使用班级电子081电子082总第次课第68页，共124页，星期日，2025年，2月5日引言场效应管FET(FieldEffectTransistor)类型：绝缘栅型N沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型(IGFET)（2）分类P沟道MOSFET第69页，共124页，星期日，2025年，2月5日HomeNext1（1）特点输入阻抗高（107~1012?），噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，功耗小。第70页，共124页，星期日，2025年，2月5日特点：1.利用输入回路的电场效应控制输出回路的电流；仅靠半导体中的多数载流子导电