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贵州2025自考[大功率半导体科学]半导体制造技术模拟题及答案

一、单项选择题（每题1分，共20分）

说明：下列每题只有一个正确答案。

1.贵州省特色半导体材料中，以下哪种材料主要应用于大功率器件的衬底材料？

A.GaN

B.SiC

C.SiGe

D.GaAs

2.在贵州某半导体企业的MOCVD设备中，用于生长SiC薄膜的关键前驱体是？

A.TMA（三甲基铝）

B.TMGa（三甲基镓）

C.SiH?（硅烷）

D.SiCl?（四氯化硅）

3.SiC功率器件制造中，以下哪项工艺属于物理气相沉积（PVD）技术？

A.CVD（化学气相沉积）

B.Sputtering（溅射）

C.IonPlating（离子镀）

D.LPCVD（低压化学气相沉积）

4.贵州某功率器件厂使用热氧化工艺制备SiC表面氧化层，其主要目的是？

A.提高器件耐压能力

B.增强器件散热性能

C.形成欧姆接触

D.防止器件表面腐蚀

5.在SiC功率器件的离子注入工艺中，常用作激活离子的元素是？

A.N（氮）

B.P（磷）

C.B（硼）

D.As（砷）

6.贵州某企业采用干法刻蚀技术去除SiC晶圆表面杂质，其主要使用的化学刻蚀剂是？

A.HF（氢氟酸）

B.H?SO?（硫酸）

C.CHF?（三氟化碳）

D.HCl（盐酸）

7.SiC功率器件的金属接触层中，常用作欧姆接触材料的金属是？

A.Al（铝）

B.Ti（钛）

C.Ni（镍）

D.W（钨）

8.在贵州某半导体生产线中，用于检测SiC晶圆表面缺陷的设备是？

A.光学显微镜

B.扫描电子显微镜（SEM）

C.X射线衍射仪（XRD）

D.四探针测试仪

9.SiC功率器件的栅极氧化层厚度通常为？

A.1nm

B.10nm

C.100nm

D.1μm

10.贵州某企业使用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）工艺制备SiC氮化层，其主要目的是？

A.提高器件耐高温性能

B.增强器件耐腐蚀性能

C.形成肖特基接触

D.防止器件表面漏电

11.SiC功率器件的背面金属化工艺中，常用作电极材料的合金是？

A.AgAl（铝银合金）

B.CuW（钨铜合金）

C.AuGe（金锗合金）

D.NiCr（镍铬合金）

12.在贵州某半导体厂，SiC器件的封装材料通常选用？

A.硅橡胶

B.陶瓷材料

C.有机树脂

D.金属基板

13.SiC功率器件的散热结构设计中，常用以下哪种材料作为散热填充物？

A.硅脂

B.水冷板

C.硅橡胶

D.铝硅导热凝胶

14.贵州某企业使用高温退火工艺改善SiC器件的导电性能，其主要目的是？

A.激活离子注入层

B.去除晶圆表面应力

C.提高器件耐压能力

D.增强器件散热性能

15.SiC功率器件的栅极绝缘层通常选用？

A.SiO?（二氧化硅）

B.Al?O?（氧化铝）

C.Si?N?（氮化硅）

D.HfO?（氧化铪）

16.在贵州某半导体厂，SiC器件的封装过程中，以下哪项工艺属于键合工艺？

A.光刻

B.电镀

C.键合

D.刻蚀

17.SiC功率器件的漏电流检测通常使用？

A.高阻计

B.示波器

C.LCR电桥

D.热像仪

18.贵州某企业使用PECVD工艺制备SiC钝化层，其主要目的是？

A.提高器件耐压能力

B.减少器件表面漏电

C.增强器件散热性能

D.防止器件表面氧化

19.SiC功率器件的金属接触层中，常用作肖特基接触材料的金属是？

A.Ti（钛）

B.Ni（镍）

C.Pt（铂）

D.Al（铝）

20.在贵州某半导体厂，SiC器件的可靠性测试通常包括？

A.高温反偏测试

B.低频脉冲测试

C.老化测试

D.以上都是

二、多项选择题（每题2分，共20分）

说明：下列每题有多个正确答案，漏选或错选均不得分。

1.贵州某企业使用SiC衬底材料制造功率器件，其主要优势包括？

A.高温稳定性

B.高频特性

C.低导通电阻

D.良好的热导率

2.SiC功率器件制造中，以下哪些工艺属于薄膜沉积技术？

A.CVD

B.Sputtering

C.LPCVD

D.PECVD

3.贵州某半导体厂使用离子注入工艺制备SiC器件，常用作注入离子的元素包括？

A.N

B.P

C.B

D.As

4.SiC功率器件的金属接触层中，常用作欧姆接触材料的金属包括？

A.Ti

B.Ni

C.W

D.Al

5.在贵州某半导体厂，SiC器件的表面处理工艺包括？

A.热氧化

B.干法刻蚀

C.化学清洗

D.离子轰击

6.SiC功率器件的封装工艺中，常