山东2025自考[大功率半导体科学]半导体物理高频题考点.docxVIP

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山东2025自考[大功率半导体科学]半导体物理高频题(考点)

一、单选题（共10题，每题2分，合计20分）

1.在半导体中，载流子的漂移运动主要是由什么引起的？

A.电场力

B.热运动

C.化学势

D.浓度梯度

2.硅（Si）的禁带宽度约为多少电子伏特（eV）？

A.1.1

B.2.3

C.0.7

D.3.6

3.PN结在正向偏置时，其耗尽层会发生什么变化？

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.消失

4.当温度升高时，半导体的电导率通常会怎样变化？

A.降低

B.升高

C.不变

D.先升高后降低

5.漂移电流的主要组成部分是什么？

A.扩散电流

B.漂移电流

C.恒流源

D.电压源

6.在半导体中，空穴的运动可以理解为？

A.电子的空位

B.正离子的运动

C.负离子的运动

D.中子的运动

7.当光照照射到半导体上时，会产生什么效应？

A.光电效应

B.压电效应

C.热电效应

D.霍尔效应

8.半导体材料的掺杂主要目的是什么？

A.提高电阻率

B.降低电阻率

C.增加禁带宽度

D.减少载流子寿命

9.PN结的反向饱和电流主要由什么决定？

A.电场强度

B.温度

C.少数载流子

D.多数载流子

10.半导体中，内建电场的方向是怎样的？

A.从P区指向N区

B.从N区指向P区

C.垂直于结界面

D.无固定方向

二、多选题（共5题，每题3分，合计15分）

1.半导体中的复合方式有哪些？

A.直接复合

B.间接复合

C.载流子扩散

D.漂移运动

2.影响半导体禁带宽度的因素有哪些？

A.原子序数

B.晶格结构

C.温度

D.掺杂浓度

3.PN结的特性包括哪些？

A.正向导通

B.反向截止

C.电容效应

D.温度依赖性

4.半导体器件的工作原理涉及哪些物理现象？

A.扩散

B.漂移

C.复合

D.霍尔效应

5.掺杂剂对半导体材料的影响包括哪些？

A.改变电导率

B.改变禁带宽度

C.改变载流子寿命

D.改变热稳定性

三、判断题（共10题，每题1分，合计10分）

1.半导体中的多数载流子是指浓度较高的载流子。（√）

2.硅（Si）的禁带宽度比锗（Ge）大。（√）

3.PN结在反向偏置时，耗尽层会变宽。（√）

4.温度升高会减少半导体的电导率。（×）

5.漂移电流主要是由电场力引起的。（√）

6.空穴可以理解为电子的空位。（√）

7.光照半导体会产生光电效应。（√）

8.掺杂可以提高半导体的电阻率。（×）

9.PN结的反向饱和电流与温度无关。（×）

10.半导体中的内建电场方向从N区指向P区。（×）

四、简答题（共5题，每题5分，合计25分）

1.简述半导体中漂移电流和扩散电流的区别。

2.解释什么是内建电场及其方向。

3.说明半导体掺杂的目的是什么，并举例说明N型和P型掺杂。

4.描述PN结在正向偏置和反向偏置时的工作状态。

5.简述温度对半导体电导率的影响及其原因。

五、计算题（共3题，每题10分，合计30分）

1.已知硅（Si）的禁带宽度为1.1eV，计算在300K时，产生电子-空穴对所需的能量是多少？

2.一个PN结在正向偏置时，其耗尽层宽度为10μm，如果外加电压增加一倍，耗尽层宽度会怎样变化？请解释原因。

3.一个掺杂浓度为1×1021/cm3的N型半导体，其电导率为100S/cm，计算其迁移率是多少？（已知电子迁移率为1400cm2/V·s）

答案与解析

一、单选题

1.A

解析：漂移运动是由电场力驱动的载流子定向运动。

2.A

解析：硅（Si）的禁带宽度约为1.1eV，锗（Ge）约为0.7eV。

3.B

解析：正向偏置时，外加电压减小耗尽层宽度。

4.B

解析：温度升高，载流子浓度和迁移率增加，电导率升高。

5.B

解析：漂移电流是由电场力驱动的载流子运动。

6.A

解析：空穴是电子的空位，可以理解为电子的“缺席”。

7.A

解析：光照半导体会产生光电效应，产生电子-空穴对。

8.B

解析：掺杂降低电阻率，提高导电性。

9.C

解析：反向饱和电流主要由少数载流子漂移决定。

10.A

解析：内建电场方向从P区指向N区。

二、多选题

1.A,B

解析：直接复合和间接复合是主要的复合方式。

2.A,B

解析：原子序数和晶格结构影响禁带宽度。

3.A,B,C,D

解析：PN结具有正向导通、反向截止、电容效应和温度依赖性。

4.A,B,C

解析：扩散、漂移和复合是半导体器件的基本物理现象。

5.A,B,C

解析：掺杂改变电导率、禁带宽度和载流子寿命