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3nm以下GAAFET工艺在5G基站芯片中的应用前景分析报告.docx

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    3nm以下GAAFET工艺在5G基站芯片中的应用前景分析报告模板

    一、3nm以下GAAFET工艺在5G基站芯片中的应用前景分析报告

    1.3nm以下GAAFET工艺的技术特点

    1.1晶体管结构紧凑

    1.2沟道电场强度高

    1.3栅极氧化层薄

    1.4工艺兼容性好

    2.3nm以下GAAFET工艺在5G基站芯片中的应用现状

    2.1芯片设计

    2.2制造

    2.3市场

    3.3nm以下GAAFET工艺在5G基站芯片中的应用前景

    3.1性能优势

    3.2功耗降低

    3.3尺寸减小

    3.4市场潜力

    二、3nm以下GAAFET工艺在5G基站芯片中的应用现状

    2.1技术研发进展

    2.2芯片设

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