第2章半导体二极管 (2).pptVIP

2.3.2伏安特性硅管0.5V,锗管0.1V。反向击穿电压U(BR)导通压降外加电压大于死区电压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性特点：非线性硅0.6~0.8V,锗0.2~0.3V。UI死区电压PN+–PN–+反向电流在一定电压范围内保持常数。第30页，共55页，星期日，2025年，2月5日反映二极管性能，是选择、使用二极管的依据。(1)最大整流电流IF——二极管长期连续工作时，允许

通过二极管的最大整流电流的平均值。(2)反向击穿电压VBR——二极管反向电流急剧增加

时对应的反向电压值。

最大反向工作电压VRM——实际工作时，为安全：

VRM=VBR/2，(3)反向电流IR——在室温及规定的反向电压下的反向电

流值。

硅管：(nA)级；

锗管：(?A)级。2.3.3主要参数第31页，共55页，星期日，2025年，2月5日二极管的单向导电性1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。第32页，共55页，星期日，2025年，2月5日第二章半导体二极管及其基本电路§2.1半导体的基本知识§2.2PN结的形成及特性§2.4二极管的基本电路及其分析方法§2.5特殊二极管§2.3二极管第33页，共55页，星期日，2025年，2月5日2.4二极管的基本电路及其分析方法2.4.1半导体二极管等效模型：1理想模型：理想二极管(vD＞0)二极管导通VF=0r=0开关闭合(vD0)二极管截止iD=0r=∞开关断开第34页，共55页，星期日，2025年，2月5日2恒压降模型：(vD＞VF)二极管导通vD=VFr=0开关闭合(vDVF)二极管截止iD=0r=∞开关断开第35页，共55页，星期日，2025年，2月5日2.4.2二极管电路分析举例定性分析：判断二极管的工作状态导通截止否则，正向管压降硅0.7V锗0.2V分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。若V阳V阴或UD为正(正向偏置)，二极管导通若V阳V阴或UD为负(反向偏置)，二极管截止若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。第36页，共55页，星期日，2025年，2月5日Eg.1简单硅二极管电路：

R=10K?解：分析可知二

极管正偏：1理想模型：2恒压降模型：求:VDD=10V时

ID及VD第37页，共55页，星期日，2025年，2月5日硅二极管电路如图，求：UABV阳=－6VV阴=－12VV阳V阴二极管导通1、理想模型：VD=0V，UAB=－6V2、恒压降模型，VD=0.7V，UAB=－6.7VEg.2：取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。在这里，二极管起钳位作用。D6V12V3k?BAUAB+–第38页，共55页，星期日，2025年，2月5日两个二极管的阴极接在一起取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。V1阳=－6V，V2阳=0V，V1阴=V2阴=－12VUD1=6V，UD2=12V∵UD2UD1∴D2优先导通，D1截止。1、理想模型:VD2=0V，UAB=0VEg.3:D1承受反向电压为－6V流过D2的电流为求：UAB在这里，D2起钳位作用，D1起隔离作用。BD16V12V3k?A