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六方氮化硼上石墨烯的CVD制备及其磁性和发光特性研究

摘要

六方氮化硼（h-BN）作为一种与石墨烯结构相似的二维材料，具备良好的机械强度、高温稳定性以及优异的绝缘性能。以h-BN为衬底进行石墨烯的制备与研究成为了该领域的热点与难点。本文详细阐述了近年来通过化学气相沉积（CVD）法在六方氮化硼上制备石墨烯的方法，深入探究了所制备石墨烯的磁性和发光特性等方面的研究进展，为相关领域的进一步研究提供参考与指导。

关键词

六方氮化硼；石墨烯；CVD制备；磁性；发光特性

一、引言

自2004年石墨烯被首次成功制备以来，因其独特的二维蜂窝状晶格结构，展现出诸多优异的性能，如超高的载流子迁移率、出色的机械性能以及良好的热导率等，在电子学、能源、材料等众多领域展现出巨大的应用潜力。然而，本征石墨烯零带隙的特性限制了其在半导体器件等方面的应用。为拓展石墨烯的应用范围，对其进行改性以及与其他材料复合成为研究重点。

六方氮化硼（h-BN）是由硼（B）和氮（N）原子交替排列构成的二维晶体材料，其结构与石墨烯相似，具有六方层状结构。h-BN具有良好的机械强度，能够在承受较大外力时保持结构稳定；具备高温稳定性，可在高温环境下维持自身性能；还拥有优异的绝缘性能，是一种宽带隙的二维层状绝缘体。这些优良性质使得h-BN成为石墨烯理想的衬底材料，将石墨烯与h-BN相结合形成的异质结构，不仅能够发挥二者的优势，还可能产生新的物理特性，为新型材料和器件的开发提供了新的途径。因此，六方氮化硼上的石墨烯制备和研究吸引了众多科研人员的关注，成为当前材料科学领域的研究热点之一。但在制备高质量的六方氮化硼上的石墨烯以及深入理解其相关特性方面，仍面临诸多挑战，需要进一步深入研究。

二、六方氮化硼上石墨烯的CVD制备方法

化学气相沉积（CVD）法是目前成功制备六方氮化硼上石墨烯的一种常用且有效的方法。在CVD过程中，反应气体在高温和催化剂等条件下发生化学反应，在衬底表面沉积形成目标材料。目前，利用CVD法制备六方氮化硼上石墨烯主要有以下两种常见方法。

2.1传统热解法

传统热解法是将预先生长好的六方氮化硼表面暴露在高温且富碳的气氛中。通常以甲烷（CH?）等碳源气体作为碳的供给源，在高温环境下，碳源气体分子裂解，产生的碳原子吸附在六方氮化硼表面。随着时间的推移，碳原子不断积累并通过扩散、重组等过程逐渐形成石墨烯层。例如，在高温管式炉中，将六方氮化硼样品放置在反应腔内，通入甲烷和氢气的混合气体，在高温（一般在1000℃左右）和氢气的辅助作用下，甲烷分解出的碳原子在六方氮化硼表面沉积生长为石墨烯。这种方法的优点是相对简单直接，对设备要求相对不高。但也存在一些问题，如难以精确控制石墨烯的生长层数和质量，容易在生长过程中引入杂质和缺陷，导致所制备的石墨烯质量参差不齐。而且由于是在已有的六方氮化硼表面进行石墨烯的生长，后续生长的石墨烯与六方氮化硼之间的界面结合情况较难精准调控，可能影响异质结构的整体性能。

2.2原子层沉积法

原子层沉积法是在六方氮化硼的表面挨个沉积碳原子，并通过后续的热处理将其转化为石墨烯。该方法基于原子层沉积技术的原理，能够实现原子级别的精确控制。在具体操作过程中，首先将六方氮化硼衬底放入原子层沉积设备中，通过交替通入含有碳原子的前驱体气体和反应气体，在衬底表面进行单原子层的碳原子沉积。每一次通入前驱体气体后，会在衬底表面发生自限制反应，形成一层极薄且均匀的碳原子吸附层，然后通过通入反应气体将多余的前驱体和副产物去除，确保只有单层碳原子吸附在衬底上。经过多次这样的循环操作，在六方氮化硼表面逐渐堆积形成一定厚度的碳层。最后，对沉积有碳层的六方氮化硼样品进行高温热处理，一般在1000℃以上的高温下，这些碳原子会发生结构重排和石墨化过程，从而形成石墨烯。原子层沉积法的优势在于能够精确控制石墨烯的生长厚度和层数，生长的石墨烯具有较好的均匀性和较低的缺陷密度，并且可以较好地控制石墨烯与六方氮化硼之间的界面质量，有利于制备高质量的六方氮化硼上的石墨烯异质结构。但该方法也存在设备昂贵、工艺复杂、生长速度较慢等缺点，限制了其大规模的应用。

除了上述两种主要方法外，科研人员还在不断探索其他基于CVD的改进方法。例如，通过对衬底进行预处理，改变衬底表面的物理化学性质，来调控石墨烯的生长。中科院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室的卢光远、吴天如等人基于铜镍合金衬底生长高质量h-BN和石墨烯薄膜的研究基础，通过先沉积h-BN单晶后生长石墨烯，成功制备了高质量石墨烯/h-BN平面异质结。由于铜镍合金上石墨烯生长速度极快，较短的石墨烯沉积时间减小了对石墨烯薄膜生长过程中对h-BN薄膜的破坏。同时