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MOS管夹断层导电原理：机制、特性与应用解析
MOS管作为现代电子电路的核心器件，其“夹断层”是漏极-源极（D-S）通路中的特殊区域——当漏极电压（VDS）增大到特定值时，靠近漏极的导电沟道被“夹断”，但器件仍能维持电流导通。这一看似矛盾的现象，源于夹断层独特的电场分布与载流子输运机制。以下从夹断层的形成、导电本质、影响因素及应用场景四个维度展开详解。
一、夹断层的形成：从导电沟道到“虚拟截止区”
夹断层的形成是栅极电压（VGS）与漏极电压（VDS）协同作用的结果，需经历“沟道建立-电压梯度形成-局部夹断”三个阶段，其核心是沟道内电势分布的动态变化。
（一）前置
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