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*第1页，共28页，星期日，2025年，2月5日绪论什么是半导体按固体的导电能力区分，可以区分为导体、半导体和绝缘体表1.1导体、半导体和绝缘体的电阻率范围材料导体半导体绝缘体电阻率ρ(Ωcm)＜10-310-3～109＞109*第2页，共28页，星期日，2025年，2月5日绪论半导体具有一些重要特性，主要包括：温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降如室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8℃，电阻率相应地降低50%左右微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力以纯硅中每100万个硅原子掺进一个Ⅴ族杂质（比如磷）为例，这时硅的纯度仍高达99.9999%，但电阻率在室温下却由大约214,000Ωcm降至0.2Ωcm以下适当波长的光照可以改变半导体的导电能力如在绝缘衬底上制备的硫化镉(CdS)薄膜，无光照时的电阻为几十MΩ，当受光照后电阻值可以下降为几十KΩ此外，半导体的导电能力还随电场、磁场等的作用而改变*第3页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.1半导体材料元素半导体（Si、Ge）化合物半导体（双元素，三元素等）*第4页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.2固体类型半导体的晶体结构一、晶体的基本知识长期以来将固体分为：晶体和非晶体。晶体的基本特点：具有一定的外形和固定的熔点，组成晶体的原子（或离子）在较大的范围内（至少是微米量级）是按一定的方式有规则的排列而成－－长程有序。（如Si，Ge，GaAs）*第5页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.2固体类型半导体的晶体结构晶体又可分为：单晶和多晶。单晶：指整个晶体主要由原子(或离子)的一种规则排列方式所贯穿。常用的半导体材料锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)都是单晶。多晶：是由大量的微小单晶体（晶粒）随机堆积成的整块材料，如各种金属材料和电子陶瓷材料。（晶界分离）*第6页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.2固体类型半导体的晶体结构非晶（体）的基本特点：无规则的外形和固定的熔点，内部结构也不存在长程有序，但在若干原子间距内的较小范围内存在结构上的有序排列——短程有序（如非晶硅：a-Si）*第7页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.2固体类型半导体的晶体结构非晶体（无定型）多晶单晶*第8页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.3空间晶格晶体是由原子周期性重复排列构成的，整个晶体就像网格，称为晶格，组成晶体的原子(或离子)的重心位置称为格点，格点的总体称为点阵。*第9页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.3空间晶格1.3.1晶胞和原胞1、晶胞＿可以复制成整个晶体的一小部分（基本单元，可以不同）*第10页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.3空间晶格晶胞和原胞2、原胞＿可以形成晶体的最小的晶胞广义三维晶胞的表示方法：晶胞和晶格的关系*第11页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.3空间晶格1.3.2基本晶体结构简立方sc体心立方bcc面心立方fcc原子体密度*第12页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.3空间晶格1.3.3晶面与密勒指数1、晶面表示方法：(1)平面截距：3，2，1(2)平面截距的倒数：1/3，1/2，1(3)倒数乘以最小公分母：2，3，6平面用(236)标记，这些整数称为密勒指数。晶面可用密勒指数（截距的倒数）来表示：(hkl)*第13页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.3空间晶格晶面与密勒指数简立方晶体的三种晶面(100)(110)(111)*第14页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.3空间晶格晶面与密勒指数体心立方结构(110)晶面及所截的原子原子面密度*第15页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.3空间晶格晶面与密勒指数2、晶向＿通过晶体中原子中心的不同方向的原子列[hkl]*第16页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.3空间晶格1.3.4金刚石结构金刚石结构*第17页，共28页，星期日，2025年，2月5日1.3空间晶格金刚石结构四面体结构*第18页，共28页，星期日，2025年，2月5