固相过程与高温合成补充内容.pptVIP

*铁电陶瓷铁电性－不存在外电场时具有自发极化，自发极化的方向能被外电场改变，极化强度和电场强度之间存在类似铁磁体磁滞回线的关系。BaTiO3,第二次世界大战发现。Pb(Zr,Ti)O3的铁电和压电性质，奠定了铁电在现代科技中的地位。铁电材料和压电材料、电介质材料之间的关系（图16－3）第26页，共56页，星期日，2025年，2月5日*锆钛酸铅（Pb(ZrxTi(1-x))O3一种最重要的铁电陶瓷，室温下，当x≤0.94时，材料是铁电体。在富钛组分区（0≤x≤0.52）属于四方结构，而在富锆区（0.52≤x≤0.94）是三方结构。在靠近PbZrO3的组分附近（0.94≤x≤1）则是正交结构的反铁电体。在x=0.52的四方和三方多形相界附近，材料具有特别强的压电效应。（图16－4）

第27页，共56页，星期日，2025年，2月5日*高介电常数电容器用陶瓷

以BaTiO3为基体（BaTiO3的介电常数高达1700），通过掺杂加入钙钛矿结构的Sr、Sn、Zr的化合物，介电常数可提高到接近20000，介电常数的温度系数也随之增加。若在BaTiO3中加入少量SrTiO3，配方中再加入少量WO3和MnCO3，可得介电常数20000以上的陶瓷，现在已有介电常数达30000以上的高介电常数铁电陶瓷。第28页，共56页，星期日，2025年，2月5日*陶瓷电容器的应用工艺上采用多层结构制作方法，可以制成大容量电容器，介电常数可达20000，而且烧成温度低，在800~1000℃(对含Pb系统易达到)。利用Sol-Gel方法及化学共沉淀法，膜厚可降至15μm以下，以增大单位体积的电容量。多层电容器适合于表面安装，用于混成集成电路及印刷电路板插座。第29页，共56页，星期日，2025年，2月5日*透明铁电陶瓷（电光陶瓷）陶瓷制造工艺的发展，出现了热压法，高纯超细粉末的制备法等可以控制其显微结构和晶界性质的方法，使之成为透明陶瓷。一般Al2O3、Y2O3、MgO、BeO、ThO2、Y3Al5O12/Nd等均可制成透明陶瓷。掺镧的锆钛酸铅（PLZT），既具有透明性，又具有铁电性和压电性，其光学性质与铁电性密切相关。第30页，共56页，星期日，2025年，2月5日*PLZT透明陶瓷（电光陶瓷）的制备PLZT陶瓷粉体应高纯，粒度要小（达0.1μm,保证每个晶粒的化学成分尽可能相同，常采用醇盐水解法。为了获得透明度高的陶瓷，要求晶粒本身透明，小的各向异性，须排除内部气孔，通常采用通氧热压烧结法烧结成品。烧结后的制品，再经过研磨、切割、抛光成透明的PLZT陶瓷片，在PLZT陶瓷片上制成不同的电极，再组装成各种光学器件。

第31页，共56页，星期日，2025年，2月5日*压电陶瓷压电效应－1880年居里兄弟发现，在石英晶体上施加应力即有电荷释放出来（图16－5）。随后又发现，石英晶体的形状会受外加电场的作用发生微小的变化。于是，便把前者称为正压电效应，后者称为逆压电效应，两者统称为压电效应。压电效应是一种耦合效应，可以将机械能转换为电能，或者将电能变为机械能。第32页，共56页，星期日，2025年，2月5日*压电陶瓷（续）陶瓷材料本不应该具有压电效应。主晶相是铁电体的陶瓷，通过外加直流电场的极化处理，各个晶粒的自发极化轴沿着外场方向取向，原来相互抵消的各个晶粒本身所固有的压电效应应变对外呈现出宏观的剩余极化，这样铁电陶瓷经极化处理后就变成了压电陶瓷。由于自发极化轴的取向不可能完全一致，压电效应比相应材料的单晶差些。第33页，共56页，星期日，2025年，2月5日*热释电陶瓷热释电效应－晶体受热温度升高，由于温度的变化而导致自发极化的变化，从而在晶体的一定方向上产生表面电荷的效应。在居里温度（当高于某一临界温度时，铁电体的自发极化消失，转变为非铁电相，这一临界温度称为居里温度Tc）附近，热电效应比较大（再看图16－3电介质材料分类示意）。应用举例：改性的Pb(Zr,Ti)O3,PbTiO3具有好的热释电性能，已制成热释电探测器，红外地平仪，红外辐射温度计，温度传感器等。第34页，共56页，星期日，2025年，2月5日*半导体陶瓷半导体陶瓷的电阻率约为10-4～107Ω·cm。在半导体的能带分布中，禁带较窄，价带中的部分电子易被激发越过禁带，进入导带成为自由电子，产生导电性。半导体陶瓷的导电率不仅与界面势垒有关，而且与工作时的光照、温度、湿度、气氛等环境条件有关，因此可制成相应的半导体陶瓷敏感器件，如边界层电容器半导体陶瓷、电压敏陶瓷、热敏陶瓷、湿敏陶瓷和光敏陶瓷等。第35页，共56页，星期日，2025年，2月5日*热敏半导体陶瓷的分类热