第9讲 场效应管及其放大电路.pptVIP

2.6.1场效应管放大电路的三种接法+-+-RLRdgds(a)共源电路+-+-RLRdgsd(b)共漏电路+-+-RLRdgsd(c)共栅电路一、基本共源放大电路VGG图2.7.2基本共源放大电路RgRd+VDDuiT+-+-uo静态时ui=0，IG=0UGSQ=VGG第30页，共57页，星期日，2025年，2月5日二、自给偏压电路图2.7.4自给偏压共源放大电路RgRd+VDDuiT+-+-uo+C1C2+RsCs+(a)结型场效应管放大电路静态时，IGQ=0，因而UGQ=0；源极电位为USQ=IDQRs，因此，栅-源之间静态电压为由于场效应管的电流方程为：所以静态时管压降为第31页，共57页，星期日，2025年，2月5日+-三、分压式偏置电路Rg1与Rg2对电源VDD分压来设置偏压，故称为分压式偏置电路。Rs稳定静态工作点，Rg3提高输入电阻。静态时，栅极电位源极电位栅-源电压管压降为图2.7.5 分压式偏置电路Rg1+C1Rd+VDDT+-C2+RsCs+Rg2Rg3AgRL第32页，共57页，星期日，2025年，2月5日2.6.2场效应管放大电路的动态分析一、场效应管的低频小信号等效模型gds输入端口输出端口因场效应管iG=0，g、s视为断路研究动态信号作用时用全微分表示令式中当信号幅值较小时，可以认为在Q点附近的特性是线性的，gm与rds近似为常数。用有效值Id、Ugs和Uds取代变化量diD、duGD和duDS。1.低频小信号等效模型第33页，共57页，星期日，2025年，2月5日gds+-交流等效模型gds输入端口输出端口2.gm的求解在小信号作用时IDQ=iD，得出该式表明，gm与Q点紧密相关，Q点愈高，gm愈大。因此，场效应管放大电路与晶体管放大电路相同，Q点不仅影响电路是否会产生失真，而且影响电路的动态参数。第34页，共57页，星期日，2025年，2月5日对耗尽型场效应管二、共源放大电路的动态分析-交流等效电路gds+Rg3R‘d+-+-RsRg1Rg2-Rg1+C1Rd+VDDT+-C2+RsCs+Rg2Rg3AgRL+-第35页，共57页，星期日，2025年，2月5日交流等效电路gds+Rg3R‘d+-+-RsRg1Rg2-不考虑电容时考虑电容时输入电阻输出电阻与共射放大电路类似，共源放大电路具有一定的电压放大能力，且输出电压与输入电压反相，只是共源电路比共射电路的输入电阻大得多。第36页，共57页，星期日，2025年，2月5日三、共漏放大电路的动态分析交流等效电路Rg1+C1RL+VDDT+-C2+RsRg2Rg3Ag+-sdgds+Rg3RL+-+-RsRg1Rg2-输入电阻第37页，共57页，星期日，2025年，2月5日gds+Rg3RL+-+-RsRg1Rg2-I0R0输出电阻P133[题2.21]已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。（1）利用图解法求解Q点；（2）利用等效电路法求解、Ri和Ro。第38页，共57页，星期日，2025年，2月5日解(1)Q由特性曲线（b）可知Q第39页，共57页，星期日，2025年，2月5日（2）gds+Rg+-+-Rd-第40页，共57页，星期日，2025年，2月5日第1页，共57页，星期日，2025年，2月5日1905年发明电真空管无线电科学技术迅速发展1946年电子数字积分计算机：18000只电真空管占地180平方米耗电150千瓦重30吨性能低于目前最简单的计算机1947年发明晶体管:建立微电子技术学科1955年发明场效应管:半导体理论日趋成熟1958年生产第一块SSI:微电子技术成为电子工业的核心技术60~70年代:80年代后:ULSI：1G位芯片10亿个晶体管/片，IC技术迅速发展：MSILSIVLSI.10万个晶