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福建2025自考[大功率半导体科学]英语(二)考前冲刺练习题
一、选择题(共10题,每题1分,共10分)
说明:每题有四个选项,请选择最佳答案。
1.Whatistheprimaryadvantageofsiliconcarbide(SiC)oversilicon(Si)inpowerelectronics?
A.Lowercost
B.Highercriticalbreakdownfield
C.Betterthermalconductivity
D.Simplermanufacturingprocess
2.Thetermwidebandgapinsemiconductormaterialstypicallyrefersto:
A.Materialswithanarrowenergygap
B.Materialswithahighenergygap
C.Materialswithlowelectronaffinity
D.Materialswithhighmobility
3.WhichofthefollowingisacommonapplicationofGaN(galliumnitride)inpowerdevices?
A.LEDlighting
B.Mobilephonebatteries
C.Solarcells
D.Microwaveovens
4.ThereversetransfercharacteristicinaMOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)isrelatedto:
A.Drain-sourcecurrentunderreversebias
B.Gate-sourcecapacitance
C.Thresholdvoltagevariation
D.Parasiticbodydiodeconduction
5.Whichmaterialisknownforitshighthermalconductivityamongpowersemiconductormaterials?
A.Silicondioxide(SiO?)
B.Siliconnitride(Si?N?)
C.Aluminumnitride(AlN)
D.Galliumarsenide(GaAs)
6.ThedriftregioninapowerBJT(BipolarJunctionTransistor)isprimarilyresponsiblefor:
A.Controllingthebasecurrent
B.Withstandinghighvoltages
C.Providingmajoritycarriers
D.Reducingswitchinglosses
7.WhichofthefollowingisakeychallengeinimplementingSiCpowerdevicesinhigh-temperatureenvironments?
A.Highthermalstability
B.Lowbreakdownvoltage
C.Materialdegradation
D.Enhancedefficiency
8.TheparasiticthyristoreffectinpowerMOSFETscanbemitigatedby:
A.Increasingthegateoxidethickness
B.Addingabodydiode
C.Reducingthechannellength
D.Usingahigherdopingconcentration
9.WhichofthefollowingmaterialsiscommonlyusedasaheatsinkmaterialinSiCpowermodules?
A.Copper(Cu)
B.Aluminum(Al)
C.Graphite(Gr)
D.Silicon(Si)
10.Thehotcarriereffectinpowerdevicesrefers
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