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新疆2025自考[大功率半导体科学]半导体制造技术易错题专练

一、单选题（共10题，每题2分）

说明：下列每题只有一个正确选项。

1.在新疆地区半导体制造中，用于晶圆表面钝化层沉积的常用材料是？

A.二氧化硅（SiO?）

B.氮化硅（Si?N?）

C.氧化铝（Al?O?）

D.碳化硅（SiC）

2.新疆某半导体企业采用干法刻蚀工艺时，常用的刻蚀气体组合不包括？

A.CF?+O?

B.HCl+Cl?

C.BHF+H?O

D.CHF?+O?

3.在新疆半导体制造中，以下哪种设备主要用于晶圆的薄膜沉积？

A.光刻机（Stepper）

B.等离子增强化学气相沉积（PECVD）设备

C.离子刻蚀机

D.腐蚀液槽

4.新疆某功率器件制造企业中，用于提高晶体管耐压性能的工艺是？

A.重掺杂扩散

B.深沟槽隔离

C.薄膜化工艺

D.氮化硅沉积

5.在新疆半导体制造中，以下哪种材料不适用于功率器件的栅极介质层？

A.SiO?

B.Si?N?

C.HfO?

D.Al?O?

6.新疆某企业采用热氧化工艺制备SiO?层时，常用的温度范围是？

A.500–800°C

B.900–1100°C

C.200–400°C

D.1200–1400°C

7.在新疆功率器件制造中，以下哪种技术可提高器件的导通电阻？

A.超结（SuperJunction）结构

B.深沟槽隔离

C.薄膜外延生长

D.重掺杂

8.新疆某企业采用PECVD工艺沉积氮化硅时，常用的工艺气体组合是？

A.SiH?+N?

B.SiH?+H?

C.NH?+SiCl?

D.SiCl?+N?

9.在新疆半导体制造中，以下哪种设备主要用于检测晶圆的厚度均匀性？

A.光刻机

B.薄膜沉积设备

C.晶圆厚度测量仪

D.等离子刻蚀机

10.新疆某功率器件制造中，用于改善器件散热性能的工艺是？

A.薄膜化工艺

B.重掺杂扩散

C.金属化工艺

D.深沟槽隔离

二、多选题（共5题，每题3分）

说明：下列每题有多个正确选项。

1.在新疆半导体制造中，以下哪些工艺可用于提高器件的耐高温性能？

A.氮化硅沉积

B.深沟槽隔离

C.重掺杂扩散

D.超结结构

2.新疆某企业采用干法刻蚀工艺时，以下哪些气体组合可实现高选择性刻蚀？

A.CF?+O?

B.CHF?+O?

C.BCl?+Cl?

D.HCl+Cl?

3.在新疆功率器件制造中，以下哪些技术可提高器件的开关速度？

A.薄膜外延生长

B.超结结构

C.深沟槽隔离

D.薄膜化工艺

4.新疆某企业采用PECVD工艺沉积氮化硅时，以下哪些参数会影响沉积速率？

A.温度

B.气体流量

C.压强

D.沉积时间

5.在新疆半导体制造中，以下哪些设备可用于晶圆的缺陷检测？

A.超景深显微镜

B.晶圆厚度测量仪

C.电子束检测仪

D.光学检测设备

三、判断题（共10题，每题1分）

说明：下列每题判断正误。

1.新疆半导体制造中，光刻工艺主要用于图案转移。（√）

2.干法刻蚀工艺比湿法刻蚀工艺的选择性更高。（√）

3.氮化硅（Si?N?）沉积层主要用于器件的绝缘保护。（√）

4.重掺杂扩散工艺可显著提高器件的导通电阻。（×）

5.薄膜外延生长（FET）工艺主要用于制备功率器件。（√）

6.等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺的沉积速率受温度影响较小。（×）

7.深沟槽隔离技术可提高器件的耐压性能。（√）

8.晶圆厚度测量仪主要用于检测晶圆的厚度均匀性。（√）

9.超结结构（SuperJunction）可提高器件的导通电流密度。（√）

10.金属化工艺主要用于改善器件的散热性能。（×）

四、简答题（共5题，每题5分）

说明：根据题目要求，简述相关工艺或技术。

1.简述新疆半导体制造中，热氧化工艺的原理及其应用。

2.解释干法刻蚀工艺中，气体选择性的影响因素。

3.描述新疆功率器件制造中，超结（SuperJunction）结构的优势。

4.说明PECVD工艺在新疆半导体制造中的应用场景。

5.阐述新疆半导体制造中，深沟槽隔离技术的目的及其作用。

五、论述题（共2题，每题10分）

说明：根据题目要求，详细论述相关工艺或技术。

1.结合新疆半导体制造的特点，论述氮化硅（Si?N?）沉积工艺的优化方法。

2.分析新疆功率器件制造中，薄膜外延生长（FET）工艺的技术挑战及解决方案。

答案与解析

一、单选题答案与解析

1.B

解析：新疆半导体制造中，氮化硅（Si?N?）常用作晶圆表面钝化层，具有高介电常数和耐高温性