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辽宁2025自考[大功率半导体科学]半导体物理考前冲刺练习题

一、单项选择题（每题2分，共20题）

1.半导体中，载流子的产生和复合主要与下列哪个物理量有关？

A.能带结构

B.热力学温度

C.电场强度

D.晶格振动

2.在硅（Si）中，电子的有效质量与空穴的有效质量相比，下列说法正确的是？

A.电子的有效质量大于空穴的有效质量

B.电子的有效质量小于空穴的有效质量

C.电子的有效质量等于空穴的有效质量

D.两者关系不确定

3.PN结在零偏压下的耗尽层厚度主要受下列哪个因素影响？

A.掺杂浓度

B.温度

C.光照

D.电场

4.半导体中，ForbiddenBand（禁带宽度）的大小主要取决于？

A.晶格结构

B.杂质浓度

C.温度

D.载流子浓度

5.漂移电流在PN结中主要是由下列哪个因素引起的？

A.扩散运动

B.漂移运动

C.静电场

D.热运动

6.在MOSFET器件中，栅极电压对沟道形成的影响主要通过下列哪个机制实现？

A.静电屏蔽

B.晶体管放大

C.耗尽效应

D.饱和效应

7.半导体中，本征载流子浓度n_i与温度T的关系是？

A.n_i随T升高而降低

B.n_i随T升高而升高

C.n_i与T无关

D.n_i随T变化无关紧要

8.PN结的反向电流在反向偏压下主要由下列哪个因素决定？

A.扩散电流

B.漂移电流

C.漏电流

D.热噪声

9.半导体中，能带理论的主要奠基人是？

A.普朗克

B.爱因斯坦

C.费米

D.汤姆逊

10.在双极晶体管中，基极电流I_B对集电极电流I_C的控制作用主要通过？

A.发射结注入

B.基极复合

C.集电极收集

D.电流放大系数β

二、填空题（每空2分，共10空）

1.半导体中，能带结构由__________和__________构成。

2.PN结的耗尽层是指__________和__________之间的区域。

3.MOSFET器件中，栅极电压通过__________效应控制沟道导电性。

4.半导体中，本征载流子浓度n_i与禁带宽度E_g的关系是__________。

5.双极晶体管的电流放大系数β主要由__________和__________决定。

6.在半导体物理中，能带理论解释了__________和__________的形成。

7.PN结的正向偏压下，耗尽层厚度__________。

8.MOSFET器件中，阈值电压V_th主要受__________和__________影响。

9.半导体中，载流子的扩散运动主要是由__________引起的。

10.双极晶体管的输入特性曲线反映了__________和__________之间的关系。

三、简答题（每题5分，共4题）

1.简述半导体中能带形成的原因及其物理意义。

2.解释PN结的耗尽层形成机制及其与偏压的关系。

3.比较MOSFET和双极晶体管在电学特性上的主要区别。

4.阐述半导体中载流子复合的主要机制及其对器件性能的影响。

四、计算题（每题10分，共2题）

1.已知硅（Si）的禁带宽度E_g=1.12eV，室温（300K）下，计算其本征载流子浓度n_i（提示：kT≈0.0259eV，m_ec2/h2≈5.8×10?eV·m2）。

2.一个理想PN结，P型区掺杂浓度N_A=1×1021/cm3，N型区掺杂浓度N_D=1×1022/cm3，计算其内建电压V_bi（提示：q=1.6×10?1?C，k=1.38×10?23J/K）。

五、论述题（15分）

结合辽宁地区半导体产业发展现状，论述半导体物理基础理论对大功率器件设计的重要性，并分析其在实际应用中的挑战与解决方案。

答案与解析

一、单项选择题答案

1.A

2.A

3.A

4.A

5.B

6.A

7.B

8.B

9.D

10.A

解析：

1.能带结构是半导体载流子产生和复合的基础理论。

2.硅中电子的有效质量小于空穴的有效质量。

3.PN结耗尽层厚度与掺杂浓度成正比。

4.禁带宽度决定能带结构，影响载流子行为。

5.漂移电流由电场驱动。

6.栅极电压通过静电屏蔽效应控制沟道。

7.n_i随T升高而指数增加。

8.反向电流主要受漂移电流影响。

9.汤姆逊对能带理论有重要贡献。

10.发射结注入是I_C的主要来源。

二、填空题答案

1.导带，价带

2.P型半导体，N型半导体

3.逆压

4.E_g越大，n_i越小

5.发射效率，基极宽度

6.能带，载流子

7.减小

8.栅介质厚度，掺杂浓度

9.热运动

10.基极电流，集电极电流

三、简答题解析